倒装芯片（Flip Chip）
焊球 / 铜柱凸块实现芯片面朝下互连，缩短互连路径，是处理器与高端 ASIC 封装的基本形态。
晶圆凸块（Bumping）与 UBM 工艺
SnAg / SAC / AuSn 焊球凸块、铜柱凸块、Au 钉头凸块全覆盖，配套 Ti/Cu/Ni/Au 系列 UBM 层，最小凸块间距 80μm，服务倒装芯片与晶圆级封装项目。
服务介绍
凸块（Bumping）是芯片与基板之间的 I/O 与机械连接点，UBM（Under Bump Metallization）承担粘附、扩散阻挡与润湿三重功能。我们提供 SnAg / SAC / AuSn 焊球凸块、铜柱凸块与 Au 钉头凸块，配套 Ti/Cu、Ti/Ni/Au、TiW/Cu 等 UBM 体系，最小凸块间距 80μm。
晶圆尺寸 4–8 英寸常规覆盖，来料或我方供片均可；凸块与 RDL 重布线同线配套，可一次光刻一套交付，减少界面污染。晶圆级封装与倒装应用可参考 RDL / 凸块先进封装方案。
焊球、铜柱、AuSn 与钉头凸块全覆盖，最小间距 80μm
应用场景
扇出型封装（Fan-Out）
凸块与 RDL 共同构成扇出封装的 I/O 重分布体系，详见 RDL / 凸块先进封装方案。
光电子与射频
AuSn 共晶凸块适配激光器、探测器的气密封装与高频互连，热导与可靠性优于常规焊料。
HBM 与 Chiplet
细间距微凸块（Cu/Ni/SnAg）用于 HBM 堆叠与 Chiplet 互连，兼容热压键合（TCB）与批量回流。
晶圆级封装（WLP）
在晶圆上完成凸块与重布线，实现器件级封装小型化，衔接 RDL 与介质工艺。
科研小批量
研发批按整片或几片起做均可，Au 钉头凸块无需掩膜版，启动成本最低，适合快速验证。
能力介绍
凸块与 UBM 的选型、精度与可靠性验证要点如下：
- 最小凸块间距（pitch）80 μm，铜柱方案可至 60 μm（按项目评估）
- 晶圆尺寸 4–8 英寸常规覆盖，来料或我方供片均可
- 凸块高度均匀性片内 ±5%，随批提供高度与剪切力抽测数据
- 与 RDL 重布线同线配套，一次光刻一套交付
细间距微凸块与质量验证
微凸块（Micro-Bump）
质量与可靠性
- 外观 AOI 全检、剖面抽检评估润湿与界面形貌；
- 凸块高度均匀性片内约 ±5%，剪切力抽测随批提供；
- 环境可靠性（温度循环、HAST、高温存储、机械冲击）按 JEDEC/MIL-STD 方法；
- 与 RDL / 凸块先进封装方案配套，服务倒装与扇出封装。
凸块高度均匀性、剪切力与外观数据随批交付
细间距微凸块与质量验证
外观 AOI 全检、剖面抽检评估润湿与界面形貌；凸块高度均匀性片内约 ±5%，剪切力抽测随批提供，兼容热压键合（TCB）与批量回流。
参数规格
凸块类型与选型
| 凸块类型 | 材料体系 | 典型尺寸 | 特点与场景 |
|---|---|---|---|
| 焊球凸块（Solder Bump） | SnAg3.5 / SAC305 | 高度 50–100 μm | 回流焊接，倒装芯片主流方案，无铅合规 |
| AuSn 共晶凸块 | Au80Sn20 | 高度 10–30 μm | 共晶温度 280℃，免助焊剂，光电子与气密封装首选 |
| 铜柱凸块（Cu Pillar） | Cu 柱 + SnAg 焊帽 | 柱径 20–60 μm | 细间距、高电流、散热好，先进封装主流 |
| Au 钉头凸块（Stud Bump） | 99.99% Au | 球径 25–75 μm | 免 UBM 电镀流程，低成本快速验证与小批量 |
UBM 层结构与能力
| UBM 结构 | 各层功能 | 适配凸块 | 备注 |
|---|---|---|---|
| Ti / Cu | Ti 粘附 + Cu 润湿导电 | 铜柱、焊球 | 经济型，常规倒装应用 |
| Ti / Ni / Au | Ni 扩散阻挡 + Au 抗氧化 | AuSn 共晶、焊球 | 可靠性高，光电与军规常用 |
| TiW / Cu | TiW 阻挡更佳 | 焊球、铜柱 | 抑制铜扩散，寿命要求高的场景 |
| Cr / Ni / Au | GaAs/InP 衬底常用体系 | AuSn、Au 钉头 | 化合物衬底配套，详见 GaAs / InP 衬底 |
补充 UBM 体系与微凸块
| UBM 结构 | 各层作用 | 适配凸块 / 场景 |
|---|---|---|
| Ti / Ni / Cu | Ni 阻挡抑制 Sn-Cu 金属间化合物生长 | 焊球、铜柱；高电流、高温可靠性 |
| Cr / Cu / Au | Au 帽层支持免电镀的 Au 钉头/金球 | RF、MEMS、光电封装 |
| TiW / Au | 耐高温扩散，Au 面可打线、抗氧化 | GaAs 等化合物半导体 |
| 化学镀 Ni/Au（ENIG） | 直接在裸 Al/Cu 焊盘选择性沉积，无需溅射/光刻 | 焊球、钉头；成本敏感、较宽间距 |
| Al / NiV / Cu | 在 Al 焊盘上直接成膜，兼容晶圆厂工艺 | 焊球、铜柱；免去额外焊盘开窗 |
在线凸块设计器
拖动参数实时预览凸块截面与晶圆布局，自动按工艺窗口限位（直径 / 高度 / 间距 / 长径比），一键下载 PDF 规格书。完整版工具见 凸块晶圆设计器。
设备与工艺装备
按 UBM、凸块成型与检测环节配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 光刻与图形化设备 | 匀胶机 / 光刻机 / 显影设备 | UBM 与凸块模具图形化 |
| UBM 沉积设备 | PVD 溅射台 / 化学镀设备 | Ti/Cu、Ti/Ni/Au 等 UBM 层沉积 |
| 电镀设备 | 电镀凸块设备（Cu/Ni/SnAg/Au） | 铜柱、焊球与微凸块电镀成型 |
| 回流设备 | 回流炉 | 焊球回流成型与润湿 |
| 检测设备 | AOI 外观检测 / 剪切力测试 / 轮廓仪 / 剖面 SEM | 凸块外观、高度与可靠性验证 |
实际案例
铜柱凸块 + Ti/Cu UBM 配套
处理器封装项目采用铜柱凸块配 Ti/Cu UBM，与 RDL 同线完成，随批提供高度均匀性与剪切力抽测数据。
凸块高度均匀性与界面形貌满足倒装互连要求。
AuSn 共晶凸块气密封装
激光器/探测器项目采用 AuSn 共晶凸块，配合 Ti/Ni/Au UBM，实现免助焊剂的气密互连。
共晶焊接气密性好，界面润湿经剖面抽检确认。
Au 钉头凸块快速验证
科研项目采用 Au 钉头凸块，免掩膜版与 UBM 电镀流程，启动成本低、交付周期短。
快速完成互连验证，后续可转入铜柱或焊球路线放量。
常见问题
UBM 和凸块必须一起做吗？
建议一起做：UBM 沉积后若长期暴露在空气中，表面状态会影响凸块结合质量。分段委托时我们会给出两工序间的保存与清洁规范。
最小 pitch 能做到多少？
常规量产能力 80μm pitch；铜柱凸块方案可评估至 60μm。更细间距属于混合键合范畴，可参考混合键合方案。
可以在化合物衬底（GaAs / InP）上做凸块吗？
可以，UBM 换用 Cr/Ni/Au 等适配体系，工艺温度预算按衬底耐温重新设计，请提供衬底规格与已有电极结构。
小批量验证怎么收费？
研发批按整片或几片起做均可，Au 钉头凸块无需掩膜版、启动成本最低，适合快速验证；电镀类凸块涉及掩膜与工装，首次有工程费用，批量后摊薄。
化学镀 Ni/Au（ENIG）和溅射 UBM 有什么区别？
溅射 UBM（如 Ti/Cu、TiW/Cu）精度与可控性好，适合细间距与铜柱；化学镀 Ni/Au 直接在裸露的 Al/Cu 焊盘上选择性沉积，无需溅射与光刻，设备与工序成本更低，适合成本敏感、间距较宽的焊球/钉头凸块。按间距与可靠性要求选择。
微凸块（micro-bump）能做多细？
微凸块采用 Cu/Ni/SnAg 体系，可视项目评估至约 10–55μm 间距、凸块直径约 5–25μm，兼容热压键合（TCB）与批量回流，用于 HBM、Chiplet 等 2.5D/3D 堆叠；更细间距的无凸点互连见 混合键合方案。
凸块的可靠性怎么验证？
按应用约定做环境可靠性测试（温度循环、HAST 湿热、高温存储、机械冲击等，参照 JEDEC/MIL-STD 方法），并配套外观 AOI、剖面抽检、剪切力测试与电性连续性测试，结果随批说明。
都有哪些凸块类型，该怎么选？
提供 SnAg / SAC 焊球、AuSn 共晶、铜柱与 Au 钉头凸块。焊球适合倒装主流；铜柱细间距、高电流；AuSn 适配光电气密；Au 钉头无需掩膜，适合快速验证。
支持多大晶圆？可以来料吗？
常规覆盖 4–8 英寸晶圆，来料加工或我方供片均可。来料请提供焊盘材料、间距与已有膜层，便于工程师确认 UBM 体系。
凸块高度一致性和检测项目有哪些？
凸块高度片内均匀性约 ±5%，随批提供高度与剪切力抽测数据；外观 AOI 全检、剖面抽检评估润湿与界面形貌。