栅氧与隔离层
热氧化生长高质量 SiO₂（50nm–2μm），界面态低、击穿场强高，适合作栅氧、隔离层与刻蚀硬掩膜。
晶圆薄膜沉积服务
PVD 溅射、电子束蒸发、LPCVD、PECVD、ALD 与热氧化全工艺覆盖，介质膜、金属膜、导电膜一站式镀膜，膜厚与均匀性数据随批交付。
服务介绍
提供 PVD 溅射、电子束蒸发、LPCVD、PECVD、ALD 与热氧化的全膜系沉积能力，覆盖 SiO₂、Si₃N₄、Poly-Si、Al、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、ITO 等常用膜层，膜厚量测、均匀性与应力数据随批交付。
支持包工包料与来料加工两种方式：直接采购镀膜衬底成品，或自带晶圆仅委托镀膜工序；多层膜叠镀（如 Ti/Pt/Au 电极体系、SiO₂/Si₃N₄ 光学对）可一次排产，界面附着力与逐层厚度监控随批记录。
PVD / CVD / ALD 全膜系覆盖，从介质膜到金属膜一站式制备
应用场景
金属电极与互连
Al、Cu、Au、Ti、Cr、Pt 等金属膜，用于互连线、电极、焊盘与反射层，附着力好、可低温工艺。
光学与透明导电膜
ITO/AZO 透明导电膜与 SiO₂/Si₃N₄ 光学对，用于显示、光电与滤光结构，膜厚均匀性可控。
钝化与保护层
PECVD SiO₂/Si₃N₄ 钝化层兼容已金属化晶圆；DLC、TiN、CrN 等硬质涂层提供耐磨耐蚀保护。
MEMS 结构层与牺牲层
LPCVD Poly-Si（可原位掺杂）与低应力 Si₃N₄ 作结构层/牺牲层，台阶覆盖好、膜质致密。
先进封装种子层与 UBM
能力介绍
PVD 溅射
磁控溅射沉积 Al、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、ITO 等金属与导电膜，附着力好、可低温工艺，适合电极、种子层与阻挡层，片内膜厚均匀性可达 ±3%。
电子束蒸发
高真空电子束蒸发 Au、Pt、Ti 等高纯金属膜，速率可控、膜层纯度高，适合 lift-off 工艺电极与光学镀膜，配套坩埚衬套避免交叉污染。
热氧化
干氧/湿氧生长高质量 SiO₂（50nm–2μm），界面态低、击穿场强高，适合作栅氧、隔离层与刻蚀硬掩膜，氧化后膜厚椭圆偏振抽测。
LPCVD
低压化学气相沉积 Si₃N₄、Poly-Si（可原位掺杂）、TEOS SiO₂，膜质致密、台阶覆盖好、批量产能高，适合结构层与绝缘层批量制备。
PECVD
等离子体增强沉积 SiO₂ / Si₃N₄ / SiON，工艺温度 ≤400°C，兼容已金属化晶圆与温度敏感衬底，适合钝化层、介质层与光学膜。
ALD 原子层沉积
逐层自限制反应生长 Al₂O₃、HfO₂、TiN 等，厚度控制精确到单原子层，高深宽比结构保形覆盖优异，适合纳米级介质与高 κ 膜。
服务方式
- 包工包料：直接采购镀膜衬底成品，衬底 + 膜层一单搞定，随附衬底 CoC 与膜厚报告；
- 来料加工：客户自带晶圆，仅委托镀膜工序，支持多层膜叠镀（如 Ti/Pt/Au 电极体系）；
- 图形化配套：可衔接光刻与刻蚀完成电极/结构图形化，一次交付成品片；
- 批量与科研兼顾：单片工艺开发到月度批量框架均可，阶梯报价。
电镀（ECD）与扩展膜材
电镀（ECD）
Cu、Ni、Au、Sn、Ag 电镀，用于 TSV 填铜、UBM/凸块底层与厚铜互连，化学镀 Ni/Au 可在 Al/Cu 焊盘上选择性沉积。
硬质保护涂层
DLC、TiN、CrN 等耐磨、耐蚀涂层，用于工具、微器件与需要低摩擦表面的场景。
压电与光学膜
AlN、ZnO、PZT 压电/铁电膜用于声学与执行器；ITO/AZO/FTO 透明导电膜用于显示与光电。
膜厚、均匀性、附着力与应力数据随批交付
全膜系沉积能力
磁控溅射沉积 Al、Ti、Cr、Au、Cu、Pt、ITO 等金属与导电膜，附着力好、可低温工艺，适合电极、种子层与阻挡层，片内膜厚均匀性可达 ±3%。
参数规格
膜系能力表
| 膜系 | 工艺 | 膜厚范围 | 片内均匀性 | 典型用途 |
|---|---|---|---|---|
| SiO₂ | 热氧化 / LPCVD / PECVD | 50nm – 2μm（热氧化）；0.1–5μm（CVD） | ±2%（热氧化）；±5%（PECVD） | 隔离层、栅氧、硬掩膜、钝化 |
| Si₃N₄ | LPCVD / PECVD | 50nm – 2μm | ±3%（LPCVD）；±5%（PECVD） | 钝化、应力膜、掩膜、MEMS 结构 |
| Poly-Si | LPCVD（原位掺杂可选） | 100nm – 3μm | ±4% | 栅电极、电阻、牺牲层/结构层 |
| Al | PVD 溅射 | 50nm – 5μm | ±3% | 互连线、电极、反射层 |
| Ti / Cr | PVD / 电子束蒸发 | 5nm – 500nm | ±3% | 粘附层、阻挡层 |
| Au / Pt | PVD / 电子束蒸发 | 10nm – 1μm | ±3% | 电极、焊盘、生物传感、催化 |
| Cu | PVD 溅射 | 50nm – 3μm | ±3% | 种子层、互连、电镀底层 |
| ITO | PVD 溅射 | 20nm – 500nm | ±5% | 透明电极、显示、光电器件 |
| Al₂O₃ / HfO₂ / TiN | ALD | 1nm – 100nm | ±1% | 高 κ 介质、扩散阻挡、保形覆盖 |
镀膜质量与衬底兼容
| 质量项目 | 说明 |
|---|---|
| 膜厚量测 | 椭圆偏振 / 台阶仪 / 四探针（金属膜换算），随批附检测数据 |
| 应力控制 | LPCVD Si₃N₄ 可提供低应力配方（<200MPa），PECVD 可调张/压应力 |
| 颗粒控制 | ISO Class 5 洁净室作业，镀后颗粒抽检，异常批次隔离复测 |
| 衬底兼容 | 硅、SOI、玻璃、蓝宝石、SiC/GaN、GaAs/InP 等，2–8 英寸 |
薄膜质量指标
| 质量项目 | 目标 / 典型值 | 量测方法 |
|---|---|---|
| 附着力 | 划格胶带法通过（无脱落） | 划格胶带测试 |
| 针孔密度 | 镀后 < 0.1 个/cm² | 湿法腐蚀显色 + 光学检查 |
| 台阶覆盖（保形性） | 5:1 深宽比下 > 80% | 剖面 SEM |
| 应力批次重复性 | ± 10 MPa（3σ） | 晶圆曲率（Stoney 公式） |
| 膜厚批次重复性 | ± 1.5%（3σ） | 椭偏仪 SPC |
| 金属污染 | < 5×10¹⁰ atoms/cm² | TXRF |
设备与工艺装备
按膜系与工艺温度窗口配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| PVD 设备 | 磁控溅射台 / 电子束蒸发镀膜机 | 金属膜、导电膜、种子层与阻挡层 |
| CVD 设备 | LPCVD 炉 / PECVD 设备 | Si₃N₄、Poly-Si、TEOS SiO₂ 等介质膜 |
| ALD 设备 | 原子层沉积设备 | 纳米级高 κ 介质与保形覆盖膜 |
| 热氧化设备 | 氧化炉（干氧/湿氧） | 高质量 SiO₂ 栅氧与隔离层 |
| 电镀设备 | 电镀槽（Cu/Ni/Au/Sn/Ag） | 填铜、UBM/凸块底层与厚铜互连 |
| 膜厚与应力量测 | 椭偏仪 / 台阶仪 / 四探针 / 曲率仪 | 膜厚、均匀性、方阻与应力监控 |
实际案例
低应力氮化硅结构层批量沉积
某传感器结构层要求低应力与高致密性，采用 LPCVD 低应力 Si₃N₄ 配方，随批提供膜厚 mapping 与应力重复性数据。
膜厚批次重复性控制在 ±1.5%（3σ）以内，结构层应力稳定。
Ti/Pt/Au 多层电极一次性排产
光电与生物传感用多层电极体系，Ti 粘附 + Pt 阻挡 + Au 导电，多层叠镀一次完成并逐层监控厚度。
界面附着力划格测试通过，多层膜厚数据随批交付。
TSV 绝缘与种子层配套
为 TSV 项目提供孔壁 SiO₂ 绝缘层与 Ti/Cu 种子层沉积，兼顾孔口到孔底的台阶覆盖，衔接后道电镀填铜。
绝缘层与种子层覆盖经剖面确认，衔接填铜工序顺畅。
常见问题
如何确定选 PVD、CVD 还是 ALD？
主要看膜层要求：金属电极与常规厚度（几十 nm 到几 μm）优先 PVD，成本低速率快；致密介质膜与批量产能优先 LPCVD/PECVD；纳米级精确厚度、高深宽比保形覆盖或高 κ 介质选 ALD。工程师会根据您的膜系、厚度与衬底耐温给出推荐。
膜厚均匀性是怎么定义和保证的？
均匀性按片内多点（通常 5–9 点）膜厚的 ±(max-min)/(2×avg) 计算，量测点位图与数据随批提供。PVD 通过靶基距优化与旋转基片台控制，LPCVD 依靠恒温区与气流设计，ALD 天然逐层自限制，可稳定达到上表指标。
已经做过金属化的片子还能再沉积介质膜吗？
可以，选 PECVD（≤400°C）或 ALD（低温配方可至 100–200°C）即可避开金属层耐温限制。请告知已有膜层与金属种类，工程师会确认工艺温度窗口。
交期和起订量是多少？
常规膜系 1 片起订，3–7 个工作日交付；多层膜叠镀或特殊膜系（低应力、掺杂 Poly-Si 等）1–2 周。批量订单可按月度框架排产，价格阶梯优惠。
膜层附着力怎么验证？
常规按划格胶带法（ASTM D3359）做附着力测试，要求达到边缘平滑、无脱落；对可靠性要求高的膜层可另做热循环与湿热老化后复测。测试结果与量测点位随批说明。
可以用电镀（ECD）来做厚金属或填充吗？
除了常见的介质与金属膜，还沉积哪些功能膜？
还可提供硬质耐磨涂层（DLC、TiN、CrN）、压电/铁电膜（AlN、ZnO、PZT）、透明导电膜（ITO/AZO/FTO）与聚合物膜（聚酰亚胺、BCB、Parylene）等，用于光学、传感与保护场景，具体膜系按项目评估。
支持多大尺寸和哪些衬底？
支持 2–8 英寸晶圆，衬底涵盖硅、SOI、玻璃、蓝宝石、SiC/GaN、GaAs/InP 等，工程师会先确认膜系与衬底的工艺兼容性后再排产。
膜层应力可以控制吗？
可以。LPCVD Si₃N₄ 可提供低应力配方（<200MPa），PECVD 膜层可调张 / 压应力，并随批提供曲率法测得的应力数据。
高深宽比结构上的覆盖能力如何？
台阶覆盖在 5:1 深宽比下可 >80%，ALD 逐层自限制反应对高深宽比保形覆盖更优；镀后针孔密度 <0.1 个/cm²。