机台适配
将大直径晶圆缩减到设备可处理的直径，适配不同工艺机台的要求。
晶圆改尺寸
在标准直径之间转换晶圆尺寸，并提供圆形 / 方形改形、边缘轮廓、厚度减薄与晶向复核，支持碎片到 300mm 的按图定制。
服务介绍
晶圆改尺寸将晶圆从一种直径转换为另一种，帮助产线与设备厂商适配不同工艺机台的要求，支持从碎片到 300mm 的尺寸范围。加工遵循适用的 SEMI 标准，保证转换后的晶圆边缘与几何精度。
服务覆盖直径缩减、切边 / 缺口加工、边缘轮廓、厚度减薄、晶圆分切与晶向复核，可与其他减薄、边缘研磨工序配合完成。
- 直径缩减：精密车削与边缘研磨，在标准直径间转换（如 200→150、200→100、150→100mm），边缘符合 SEMI 轮廓，崩边 <0.3mm、同心度 <50μm；
- 切边 / 缺口加工：按 SEMI M1 加工主切边或缺口，晶向精度 <1°，加工后边缘抛光；
- 边缘轮廓：机械研磨与 CMP 精修，形成 SEMI M1 的 T/R/K 轮廓，边缘粗糙度 Ra <0.5μm；
- 厚度减薄：磨削、研磨与 CMP，将厚度从 725μm 减至 50μm，CMP 后 TTV <1μm，可选应力释放腐蚀；
- 晶圆分切：按图将一个晶圆分切为多个更小的圆形或方形格式。
直径缩减与边缘轮廓加工，转换后符合适用的 SEMI 标准
应用场景
方形 / 面板适配
圆形改方形或矩形，满足方形衬底与面板级工艺的需求。
厚度匹配
减薄到目标厚度并控制 TTV，满足器件与键合对厚度的要求。
晶向与标识
XRD 复核晶向，并重新施加切边 / 缺口或激光标记。
分切取样
将单片晶圆分切为多个小尺寸样本，便于实验与分摊成本。
再生片复用
再生片经改尺寸后适配新的机台尺寸，延长使用价值。
能力介绍
直径缩减
精密车削与边缘研磨，实现 200→150、200→100、150→100mm 等转换，崩边 <0.3mm、同心度 <50μm。
切边与缺口加工
按 SEMI M1 加工主切边或缺口，晶向精度 <1°，加工后边缘抛光。
边缘轮廓
T / R / K（SEMI M1）轮廓，机械研磨加 CMP 精修，边缘粗糙度 Ra <0.5μm，消除微裂纹。
厚度减薄
磨削、研磨与 CMP，将厚度从 725μm 减至 50μm，CMP 后 TTV <1μm，可选应力释放腐蚀。
晶圆分切
按图将一片分切为多个更小的圆形或方形格式，可选切割或裂片，边缘崩裂小。
晶向复核与重标识
XRD 摇摆曲线确认晶向至 <0.1°，并按需重新施加切边 / 缺口或激光标记。
衬底兼容
- 硅与 SOI：直径缩减、边缘轮廓与厚度减薄；
- 玻璃：改形、分切与减薄；
- GaAs / InP：切边、缺口加工与晶向复核；
- SiC：边缘轮廓与厚度减薄；
- 蓝宝石：晶向复核与重新标识。
改形后的边缘质量经轮廓显微与粗糙度测量确认
改形后的边缘质量控制
改尺寸后的边缘质量通过边缘轮廓显微与表面粗糙度测量确认，崩边控制在不超出 SEMI 规范的范围内，并可根据客户设备要求定制边缘轮廓，以获得顺畅的搬运与后续工序表现。
参数规格
尺寸与几何能力
| 参数 | 规格 / 目标 |
|---|---|
| 直径范围 | 碎片至 100–300mm |
| 直径缩减 | 200→150、200→100、150→100mm（其他按需） |
| 厚度范围 | 50μm – 725μm |
| 厚度精度（TTV） | CMP 后 <1μm |
| 同心度 | <50μm（直径缩减） |
| 边缘崩边 | <0.3mm |
| 边缘轮廓 | T / R / K（SEMI M1），可定制 |
| 边缘粗糙度 | Ra <0.5μm（改尺寸后） |
| 晶向精度 | <1°（切边 / 缺口）；XRD 复核 <0.1° |
改尺寸服务与兼容材料
| 服务 | 说明 | 典型材料 |
|---|---|---|
| 直径缩减 | 精密车削加边缘研磨，SEMI 轮廓 | 硅、SOI、玻璃、陶瓷 |
| 切边 / 缺口加工 | SEMI M1 取向标准，加工后抛光 | 硅、GaAs、InP、SiC |
| 边缘轮廓 | T / R / K 轮廓，机械加 CMP | 硅、SOI、玻璃、SiC |
| 厚度减薄 | 磨削 / 研磨 / CMP，可选应力释放 | 硅、SOI、玻璃、SiC |
| 晶圆分切 | 圆形 / 方形，切割或裂片 | 硅、SOI、玻璃 |
| 晶向复核与重标识 | XRD 摇摆曲线加新切边 / 缺口或激光标记 | 硅、GaAs、InP、SiC、蓝宝石 |
设备与工艺装备
按改尺寸类型与精度要求配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 精密车削设备 | 数控车床 / 磨削台 | 直径缩减成形 |
| 边缘研磨设备 | 金刚石砂轮 / 轮廓磨床 | 边缘轮廓与倒角加工 |
| 切边 / 缺口设备 | 专用切边与缺口加工刀具 | 加工 SEMI M1 切边与缺口 |
| 抛光设备 | 机械抛光 / CMP | 边缘与表面精修，降低粗糙度 |
| 减薄设备 | 磨削机 / 研磨机 / CMP 抛光机 | 厚度减薄与 TTV 控制 |
| 晶向与轮廓量测 | XRD 摇摆曲线 / 激光轮廓仪 / 光学比较仪 | 晶向复核与轮廓测量 |
| 分切设备 | 精密切割 / 裂片 | 按图分切为小尺寸格式 |
实际案例
200→150mm 直径转换
客户设备仅兼容 150mm，将 200mm 晶圆经精密车削与边缘研磨转换为 150mm，边缘符合 SEMI 轮廓。
转换后同心度 <50μm、崩边 <0.3mm，可直接上机使用。
圆形改方形
面板级工艺需要方形格式，按图将圆形晶圆改形为方形，并重做边缘轮廓。
方形尺寸按图交付，边缘轮廓经量测确认。
改形后晶向重标识
改尺寸会改变原有切边 / 缺口，需重新确认晶向并施加新的标识。
XRD 确认晶向 <0.1°，按需重新施加切边或激光标记。
常见问题
晶圆改尺寸能改变哪些尺寸？
可缩减直径（如 200→150、200→100、150→100mm）、改变厚度（725μm 至 50μm），以及圆形改方形等形状转换，具体按图纸评估。
改尺寸后边缘质量如何保证？
直径缩减与边缘均按 SEMI 轮廓加工，崩边 <0.3mm、同心度 <50μm，改形后经边缘轮廓显微与粗糙度测量确认。
减薄能控制到什么精度？
通过磨削、研磨与 CMP 组合，可将厚度从 725μm 减至 50μm，CMP 后 TTV <1μm，并可选应力释放腐蚀。
能复核晶向并重新标识吗？
可以。XRD 摇摆曲线可将晶向确认至 <0.1°，并按需施加新的切边、缺口或激光标记。
支持哪些衬底材料？
硅、SOI、玻璃、陶瓷、GaAs、InP、SiC 与蓝宝石等，不同工序对应的兼容材料略有差异，具体按项目确认。
圆形晶圆能改成方形吗？
可以。支持圆形改方形或矩形，并重做边缘轮廓，满足方形衬底与面板级工艺的需求，尺寸按图纸评估后交付。
能把一片分切成多个小片吗？
可以。支持按图将一片分切为多个更小的圆形或方形格式，可选切割或裂片，边缘崩裂小，适合实验取样与分摊成本。
改尺寸后的同心度和崩边如何？
直径缩减后同心度 <50μm、边缘崩边 <0.3mm，边缘轮廓符合 SEMI 轮廓，并经轮廓显微与粗糙度测量确认。
支持的尺寸范围有多大？
支持从碎片到 300mm 的尺寸范围，直径缩减如 200→150、200→100、150→100mm，厚度范围约 50μm–725μm。
改尺寸能和减薄、边缘研磨一起做吗？
可以。改尺寸常与减薄、边缘研磨、切边 / 缺口等工序配合，同一窗口排产可减少搬运与破片风险，整片交付。
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