金属图形化晶圆（Metal Patterned Wafer）
200/300mm 金属图形化晶圆：对准标记、焊盘阵列、测试结构与菊花链金属图形，金属可选 Al/Cu/Au/Ni-Au/Ti-Au，线宽最细 0.5μm，一片起订。
产品介绍
金属图形化晶圆（Metal Patterned Wafer）是在抛光硅片、玻璃或 SOI 衬底表面，通过光刻、金属沉积与刻蚀 / 剥离工艺制备特定金属图形的专用晶圆。图形包括对准标记（Align Mark）、焊盘阵列（Pad Array）、测试结构（Test Structure）、菊花链（Daisy Chain）金属图形与分辨率测试图形等，是封装厂、设备厂与设计公司做工艺验证、设备校准与可靠性测试的标准载体。
我们按客户版图（GDSII）或标准图形库制备金属图形，金属可选 Al（AlSi/AlCu）、Cu、Au、Ni/Au、Ti/Au、Cr/Au 等，线宽 / 间距从微米级到百微米级，支持 200mm（8 英寸）与 300mm（12 英寸）晶圆，一片起订、48 小时发货。
- 金属可选 Al / Cu / Au / Ni-Au / Ti-Au / Cr-Au，厚度几十 nm 至数 μm
- 图形类型覆盖对准标记、焊盘阵列、测试结构、菊花链、分辨率图形
- 线宽 / 间距最细 0.5/0.5μm（接触式 / 步进式光刻）
- 200mm / 300mm 晶圆，衬底可选硅、玻璃、SOI
- 按 GDSII 版图或标准图形库制备，一片起订
- 随片提供线宽量测、膜厚与电学测试数据
光刻 + 金属沉积制备对准标记、焊盘与测试结构
应用场景
封装可靠性验证
菊花链金属图形用于焊点、引线键合与互连在应力后的连续性测试，配套 Daisy Chain 菊花链晶圆。
设备校准与对准
对准标记与分辨率图形用于光刻机、键合机、探针台的坐标校准与精度验证。
工艺监控
测试结构（PCM）图形用于薄膜、刻蚀、离子注入等工序的工艺窗口监控，见 晶圆定制加工。
光刻分辨率测试
分辨率测试图形用于光刻工艺窗口评估与设备能力验证。
电学测试载体
焊盘阵列与金属互连图形用于探针台电学测试与参数提取。
研发打样
金属图形化晶圆作为器件研发、传感器与 MEMS 的原型验证载体，见 MEMS 传感器应用。
参数规格
| 参数项 | 典型规格 | 备注 |
|---|---|---|
| 衬底 | 硅（CZ / FZ）、玻璃、SOI | 按用途选型 |
| 直径 | 200mm（8″）/ 300mm（12″） | — |
| 金属体系 | Al（AlSi/AlCu）、Cu、Au、Ni/Au、Ti/Au、Cr/Au | 可单层或多层叠层 |
| 金属厚度 | 50nm – 5μm | 随金属与工艺变化 |
| 线宽 / 间距 | 最细 0.5/0.5μm | 另有微米至百微米级档位 |
| 图形类型 | 对准标记、焊盘阵列、测试结构、菊花链、分辨率图形 | 支持 GDSII 定制 |
| 交付数据 | 线宽量测、金属膜厚、表面形貌、电学测试（连通/电阻） | 可追溯到晶圆批次 |
设备与工艺装备
金属图形化晶圆在洁净室环境下完成，主要设备类别与用途如下：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 光刻机 | 步进式 / 接触式光刻 | 金属图形定义 |
| PVD 溅射台 | Al / Ti / Cu / Ni 溅射 | 金属薄膜沉积 |
| 电子束蒸发台 | Au / Cr / Ti 蒸发 | 贵金属与阻挡层沉积 |
| 电镀线 | 厚铜 / 金电镀 | 厚金属图形制备 |
| 剥离 / 刻蚀设备 | lift-off 与湿法 / 干法刻蚀 | 金属图形转移 |
| 量测与检测 | SEM、四探针、膜厚仪、探针台 | 线宽、膜厚与电学性能验证 |
实际案例
菊花链金属图形验证
某封测厂需一批带菊花链金属图形的晶圆，用于焊点与键合可靠性评估。
结果：按版图交付 200mm 金属图形化晶圆，随片提供连通良率数据，支撑其完成多组应力试验对比。
对准标记与分辨率图形校准
某设备厂需标准对准标记与分辨率图形晶圆，用于光刻 / 键合设备精度校准。
结果：从标准图形库选型并交付多批次晶圆，线宽与标记位置精度满足校准要求。
常见问题
金属图形化晶圆和普通晶圆有什么区别？
支持哪些金属？厚度范围是多少？
最小线宽能做到多少？
可以按我的版图（GDSII）定制吗？
支持哪些衬底和尺寸？
交付时提供哪些检测数据？
告知金属、线宽与图形要求，获取方案与报价
200/300mm · 按版图或标准图形库 · 随片检测数据 · 含税人民币报价