光刻掩膜版（铬版 / 光罩）定制
苏打玻璃与石英基板铬版，激光直写 / 电子束曝光制版，GDSII 数据直投，3–7 个工作日交付，高校流片与产线量产均可承接。
产品介绍
光刻掩膜版（Photomask，又称光罩、Mask）是图形转移的母版：把版图以铬层或乳胶层固化在苏打玻璃或石英基板上，再经曝光设备 1:1 或缩微转移到光刻胶上。掩膜质量直接影响线宽、套刻与良率，我们支持 GDSII / OASIS / DXF / CIF 等数据直投，兼容接触式、接近式与投影式曝光。
铬版 / 乳胶版掩膜在洁净环境下制版与检测
能力介绍
AOI 缺陷检测与 CD-SEM 关键尺寸量测
检测能力
从数据检查、制版到检测封装在同一体系内完成，关键层随附检测报告，数据可签署 NDA 保密。
- 数据格式：接受 GDSII（.gds/.gds2）、OASIS（.oas）、DXF、CIF、Gerber（.gbr）等，工程师协助排版与格式转换。
- 数据检查：最小线宽 / 间距、图形密度、正负性与亮暗场匹配，可按需添加十字、游标或套刻盒对位标记。
- 检测能力：AOI 缺陷检测与缺陷分布图、CD-SEM 关键尺寸量测（铬版全局 ±0.1μm）、套刻量测（铬版约 ±0.25μm）。
- 洁净封装：在 Class 1（ISO 3）洁净环境下清洗、检测、封装，可选硝化纤维或含氟聚合物 Pellicle 防尘膜。
- 边缘与标识：磨边倒角，可激光刻写或刻蚀条码与基准标记。
- 保密与交付：可签署保密协议（NDA），制版数据仅用于本次订单，常规 3–7 个工作日交付。
下单流程
1. 发送数据
提供 GDSII / DXF / CIF 版图文件，标注版次、正反对版关系与缩放倍数（1X / 5X / 10X）。
2. 数据检查
工程师 1 个工作日内完成 DRC 预检与数据确认，反馈截图供您核对。
3. 制版检测
曝光、显影、刻蚀后做 CD 抽测与缺陷目检，关键层附检测报告。
4. 交付
专用掩膜版盒 + 防静电包装顺丰寄出。
参数规格
基板规格
| 基板 | 常备尺寸 | 特点与适用 |
|---|---|---|
| 苏打玻璃（Soda Lime） | 3 / 4 / 5 / 6 / 7 英寸方版，6025 规格 | 成本低，i-line 接触式/接近式曝光 |
| 石英（Quartz） | 4 / 5 / 6 英寸，6025 规格 | 低热膨胀、DUV 透光，步进机投影曝光 |
| 铬层 | Cr 100nm（低反射可选） | 亮场 / 暗场均支持 |
掩膜技术对比
| 技术 | 最小特征尺寸 | 特点 | 适用 |
|---|---|---|---|
| 铬版 COG（Chrome-on-Glass） | ≥ 0.5μm（激光）/ ≥ 0.1μm（E-beam） | 铬层约 100 nm，OD ≥ 3.0 @ 365–436 nm，耐用可反复清洗，可选低反射铬 | 接触式/接近式量产，可多次使用 |
| 乳胶版 Emulsion（卤化银） | ≥ 2μm | 成本最低、交期快（可 24–48h 加急），但不耐接触磨损 | MEMS、微流控、厚胶工艺打样 |
| 相移版 PSM | ≥ 0.3μm（激光衰减型） | 衰减型（MoSi/Cr）或交替型（刻蚀石英 π 相移），提升分辨率与焦深 | 关键层、提高工艺窗口 |
| 氧化铁 / 铝版 | 按工艺 | 氧化铁 OD 1.5–2.5 可见光半透，便于透过掩膜对位；铝版高反射 | 对位观察、UV-NIL 与反射式光刻 |
曝光方式兼容
| 曝光方式 | 掩膜与晶圆关系 | 分辨率特点 | 掩膜选择 |
|---|---|---|---|
| 接触式（Contact） | 掩膜直接贴压胶面，1:1 转移 | 给定数值孔径下分辨率最高，掩膜有沾污与磨损风险 | 建议耐用铬版（COG） |
| 接近式（Proximity） | 掩膜与晶圆间隔 10–50 μm | 避免接触沾污，受衍射限制（典型 ≥ 2–3μm） | 乳胶版或铬版均可 |
| 投影式（Projection） | 通过缩微投影物镜（常见 4× / 5×）成像 | 需高套刻与 CD 均匀性，通常配 pellicle 防尘膜 | 铬版或相移版，5″ / 6″ 版 |
制版能力与精度
| 项目 | 激光直写 | 电子束（E-beam） |
|---|---|---|
| 最小线宽（CD） | ≥ 1μm | ≥ 0.2μm |
| CD 精度 | ±0.1μm | ±0.05μm |
| 套刻/位置精度 | ±0.15μm | ±0.08μm |
| 适用场景 | MEMS、功率器件、封装、PCB | 微纳结构、光栅、科研前沿 |
| 常规交期 | 3–5 个工作日 | 5–10 个工作日 |
设备与工艺装备
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 激光直写光刻机 | 按写场与波长配置，CD ≥ 1μm | 铬版 / 乳胶版图形直写 |
| 电子束曝光机 | 高斯束，CD ≥ 0.2μm | 亚微米 / 纳米精细图形 |
| 匀胶 / 显影线 | 旋涂 + 显影 | 光刻胶涂布与显影 |
| 湿法 / 干法刻蚀台 | 铬层 / MoSi 刻蚀 | 图形转移与膜层刻蚀 |
| 掩膜清洗机 | 硫酸-双氧水 / 专用清洗 | 去除残胶与颗粒 |
| AOI / CD-SEM | 自动光学检测 + 关键尺寸量测 | 缺陷检测与 CD 均匀性 |
| 套刻量测仪 | 对位标记测量 | 套刻精度检测 |
| Pellicle 贴膜 / 洁净封装台 | Class 1（ISO 3）洁净环境 | 防尘膜贴装与洁净包装 |
实际案例
高校流片
CAD 图纸转制版
某高校课题组需要单一掩膜做 MEMS 流片，手头只有 CAD 图纸，缺少 GDSII。
工程师协助格式转换并 3–5 天交付铬版，随附 CD 检测数据
光子器件
成套 reticle 投影曝光
某光子器件项目需要成套 reticle，配合 4× 缩微投影曝光使用。
铬版按套刻要求交付，附套刻矢量图供工艺对标
先进封装
RDL 层厚胶掩膜
某封装项目需要 RDL 层掩膜，配厚胶工艺并要求合适的亮暗场。
按亮暗场匹配交付并附 CD 均匀性数据，配合光刻代工完成流片
常见问题
铬版和乳胶版怎么选？
看最小线宽与使用次数：图形 ≥ 2μm、以打样为主且希望快而省，选乳胶版；需要亚微米图形、反复接触曝光或投影曝光，选铬版（COG），耐用且光学密度高。乳胶版不耐接触磨损，不建议用于接触式量产。
相移版（PSM）什么时候需要？
当关键层的分辨率或焦深不足、需要更大工艺窗口时考虑相移版。衰减型（MoSi/Cr 半透）实现相对简单，交替型（刻蚀石英 π 相移）分辨率提升更明显但设计更复杂。是否采用需结合曝光设备与工艺条件评估。
掩膜怎么清洁保存？需要加 Pellicle 吗？
掩膜应在洁净环境下用专用溶剂与无尘布清洁，存放于掩膜版盒内避光防尘。接触式曝光易沾污，建议规范清洁；投影式曝光（步进机）强烈建议加装硝化纤维或含氟聚合物 Pellicle 防尘膜，可在不拆膜情况下保护图形面、减少缺陷复印。
我只有 CAD 图纸，没有 GDSII 怎么办？
支持 DXF、DWG 格式转换，工程师可协助排版与格式转换，简单图形不额外收费。
数据保密如何保证？
可签署保密协议（NDA），制版数据仅用于本次订单，交付后按约定删除，不用于任何其他用途。
学生流片价格有优惠吗？
高校与科研院所常规版（≤1μm CD 激光直写）有教育优惠价，多版套刻同批下单享折扣，欢迎发图询价。
激光直写和电子束制版该怎么选？
看最小线宽与用途：激光直写最小线宽 ≥1μm、交期 3–5 个工作日，适合 MEMS、功率器件、封装与 PCB；电子束可达 ≥0.2μm、CD 精度约 ±0.05μm，交期 5–10 个工作日，适合微纳结构、光栅与科研前沿。
支持哪些版图数据格式？
接受 GDSII（.gds/.gds2）、OASIS（.oas）、DXF、CIF、Gerber（.gbr）等格式，工程师可协助排版与格式转换；下单请标注版次、正反对版关系与缩放倍数（1X/5X/10X）。
掩膜版交期多久？
常规 3–7 个工作日交付：激光直写约 3–5 个工作日，电子束约 5–10 个工作日。数据检查在 1 个工作日内完成并反馈核对截图。
基板有哪些规格可选？
常备苏打玻璃与石英两类基板，尺寸覆盖 3–7 英寸方版（含 6025 规格），可按曝光方式与精度要求选择，工程师会结合工艺推荐。
把版图文件发给我们，1 个工作日内反馈制版报价
数据保密 · CD 检测报告 · 3–7 天交付