硅晶圆_单晶硅片_抛光硅片2-12英寸现货

Name: 硅晶圆衬底（单晶硅抛光片）
Brand: 晶基半导体

产品介绍

硅晶圆（Silicon Wafer）是集成电路、分立器件、MEMS 传感器与光电器件制造的基础衬底材料。我们供应由国内主流拉晶厂与抛光厂生产的单晶硅抛光片，采用直拉法（CZ）与区熔法（FZ）晶体，双面或单面抛光，几何参数与洁净度符合 SEMI 标准，广泛用于高校科研、工艺研发与产线量产。

按验收严格程度分为 Prime（正片）、Test（测试片）与 Dummy（挡片）三个等级：Prime 用于量产流片与关键工艺开发，颗粒、金属污染与平整度全面达标；Test 参数略宽、性价比突出，适合工艺研发、设备验证与高校科研；Dummy 用于炉管填充、设备暖机与颗粒监控，详见测试片专页。需要外延结构可直接采购硅外延片；氩气退火片、热氧化 SiO₂ / LPCVD Si₃N₄ 薄膜片可走定制加工。

单晶硅抛光片：2–12 英寸全尺寸、全等级现货供应

应用场景

CMOS 逻辑与存储

Prime 级 CZ 片是逻辑、DRAM、NAND 与各类 SoC 的基础衬底，对颗粒与平整度管控最严，保证光刻与栅氧良率。

MEMS 与传感器

惯性、压力、麦克风等器件依赖 DSP 片的 TTV 控制，用于 DRIE 刻穿与晶圆键合，详见MEMS 与传感器应用。

功率器件

IGBT、超级结 MOSFET 与高压二极管需要 FZ 高阻片或 MCZ 低氧片，详见功率电子应用。

图像传感器（CIS）

重掺衬底叠加轻掺外延层提供内吸杂与低暗电流，Epi-Ready 表面保证外延质量，可用硅外延片直接采购。

射频与硅光

高阻 FZ 片降低衬底损耗，用于射频开关、毫米波与硅光波导，详见射频与功率器件应用。

科研与原型

小批量、特殊晶向与电阻率按需供应，Test 级性价比突出，详见科研与原型应用。

能力介绍

薄膜沉积：热氧化 SiO₂、LPCVD/PECVD Si₃N₄ 与金属薄膜，膜厚 10nm–4μm 可定制；
离子注入：硼、磷、砷等掺杂与埋层注入，配合退火激活；
减薄 / Taiko：整片减薄至 20–200μm，满足超薄与 3D 堆叠需求；
晶圆键合：阳极键合、直接键合与临时键合，支撑 SOI 与 MEMS 封装；
刻蚀 / DRIE：体硅深槽刻蚀与结构释放工艺；
检测与认证：厚度、TTV、颗粒、电阻率与晶向检测，随片出报告与 CoC。

随片提供厚度、TTV、颗粒与电阻率检测数据

薄膜沉积 · 离子注入 · 晶圆键合 · 检测

完整能力见定制加工总览，产线大批量采购可参考产线配套供应方案。

参数规格

常备现货规格

参数项	可选范围	备注
尺寸	2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 8 / 12 英寸	8、12 英寸常备库存最充足
等级	Prime（正片）/ Test（测试片）/ Dummy（挡片）	科研推荐 Test，量产用 Prime
晶向	<100> / <111> / <110>	CMOS 常用 <100>，MEMS 常用 <110>
导电类型	N 型（磷/砷/锑掺杂）· P 型（硼掺杂）	重掺可低至 0.001 Ω·cm
电阻率	0.001 – 10,000 Ω·cm	FZ 高阻片 >1000 Ω·cm 适合射频/探测器
厚度	标准厚度 ±25μm；可定制 100–1500μm	超薄需求请走减薄加工
抛光	单面抛光（SSP）/ 双面抛光（DSP）	DSP 用于键合与双面光刻
TTV	≤ 3μm（Prime 级 ≤ 1.5μm）	随片提供检测数据

按应用选型速查表

应用方向	推荐晶向	推荐电阻率	推荐等级	说明
CMOS / 逻辑工艺研发	<100> P 型	1–20 Ω·cm	Prime	栅氧质量敏感，建议 Prime 级低 COP 退火片
MEMS 体硅微结构	<110> 或 <100>	1–100 Ω·cm	Test / Prime	湿法各向异性刻蚀按晶面速率选晶向，常用 DSP
功率器件（MOS/IGBT）	<100>	重掺衬底 ≤0.005 Ω·cm + 外延层	Prime	直接采购硅外延片更省心
射频 / 探测器	<100>	>1000 Ω·cm（FZ 高阻）	Prime	高阻 FZ 片降低衬底损耗，库存少需提前询价
高校科研 / 工艺摸索	<100>	1–20 Ω·cm	Test	性价比优先，Test 级参数完全满足实验需求
炉管填充 / 设备验证	不限	不限	Dummy	用Dummy 挡片，成本最低

尺寸-标准厚度对照表（SEMI 标准）

尺寸	直径（mm）	标准厚度（μm）	定位方式	常见用途
2 英寸	50.8	279 ± 25	平边（Flat）	化合物外延基底、LED 研发
3 英寸	76.2	381 ± 25	平边（Flat）	老旧产线、分立器件
4 英寸	100	525 ± 25	平边（Flat）	高校科研、MEMS 研发最常用
5 英寸	125	625 ± 25	平边（Flat）	部分 MEMS 与功率产线
6 英寸	150	675 ± 25	平边（Flat）	功率器件、传感器产线
8 英寸	200	725 ± 25	缺口（Notch）	成熟制程主流尺寸，现货最充足
12 英寸	300	775 ± 25	缺口（Notch）	先进制程、AI 芯片制造

晶体生长方式对比：CZ / MCZ / FZ

单晶硅的晶体生长方式决定了氧碳含量、电阻率上限与载流子寿命，是选型时最关键的一步。三种主流工艺的对比如下：

生长方式	直拉法 CZ	磁场直拉 MCZ	区熔法 FZ
原理	石英坩埚内熔体拉晶	CZ 附加水平磁场抑制熔体对流	无坩埚区域熔炼提纯
常规尺寸	4 – 12 英寸	6 – 12 英寸	4 – 8 英寸
氧含量	12 – 18 ppma	6 – 12 ppma	< 0.1 ppma（近无氧）
电阻率范围	0.001 – 100 Ω·cm	0.01 – 200 Ω·cm	1 – 10,000+ Ω·cm
少数载流子寿命	10 – 100 μs	数十 μs	> 1000 μs
特点	性价比高，氧内吸杂有利	电阻率径向均匀性好、氧可控	纯度最高、无氧沉淀、高温强度好
典型用途	CMOS、逻辑、存储、MEMS	IGBT/MOSFET、图像传感器、高端模拟	射频、高压功率、探测器、硅光、GaN-on-Si 基底

FZ 高阻片专题

区熔（FZ）高阻硅片是射频前端、硅光子、高压功率器件与粒子探测器的首选衬底。因无坩埚接触、氧碳含量极低，其衬底损耗与载流子复合远低于常规直拉片，特别适合对衬底损耗敏感的高频、高压与低噪声场景。

参数项	典型规格	说明
尺寸	4 / 6 / 8 英寸	高阻 FZ 现货以 4、6 英寸为主
电阻率	> 10 kΩ·cm，最高 > 30 kΩ·cm	接近本征硅，显著降低衬底损耗
导电类型	N 型（磷，含 NTD）/ P 型（硼）	NTD 中子嬗变掺杂面内均匀性可达 ±3%
氧 / 碳含量	< 5×10¹⁵ atoms/cm³	无氧沉淀、无体内微缺陷
少数载流子寿命	> 1 ms	比常规 CZ 片高一个数量级以上
表面处理	单面抛光 / 双面抛光，Epi-Ready	可作 SOI 支撑片与 GaN-on-Si 外延基底

设备与工艺装备

衬底制备与检测依托国内主流拉晶厂、抛光厂及自有加工配套，主要设备类别与用途如下：

设备类别	典型配置	用途
晶体生长炉	直拉（CZ）/ 磁场直拉（MCZ）/ 区熔（FZ）单晶炉	生长不同氧含量、电阻率与晶向的单晶硅锭
线切割机	多线切割（金刚线 / 砂浆线）	将晶棒切割为晶圆，控制总厚度变化与翘曲
研磨 / 抛光机	双面研磨 + 单 / 双面化学机械抛光	获得平坦、低粗糙度镜面，控制 TTV 与平整度
CMP 设备	化学机械抛光（含终点检测）	精抛与表面缺陷去除，满足 Epi-Ready 要求
清洗机	RCA 清洗 / 兆声波清洗线	去除颗粒与金属污染，保证表面洁净度
检测设备	厚度/TTV 量测、颗粒计数、四探针电阻率、XRD 晶向	随片出具几何、电学与晶体质量检测数据

非常规厚度（如 100–1500μm 定制厚度、双面抛光超薄片）可通过定制加工或减薄服务实现。

实际案例

高校科研

4 英寸 Test 片工艺摸索供应

某高校微纳加工平台需要小批量 4 英寸 P 型 <100> 硅片用于器件工艺摸索，要求单片可订并随附检测数据。

结果：按 Test 级现货供应，单片起订、48 小时发货，随片提供厚度与电阻率数据，满足科研验收与报销。

产线配套

8 英寸 Dummy 片年度框架

某器件产线的炉管填充与设备暖机需稳定供应 8 英寸 Dummy 片，用量大且要求交期稳定。

结果：以年度框架锁定产能与阶梯价格，按月分批供货，配套测试片 / Dummy与再生片循环方案。

功率器件

高阻 FZ 片选型支持

某功率器件团队研发高压器件，需要 >1000 Ω·cm 的 FZ 高阻片，对电阻率均匀性有明确要求。

结果：由工程师按器件结构反推衬底规格，以 6 英寸 NTD 高阻 FZ 片交付并提供电阻率分布数据。

常见问题

科研采购一片两片可以开发票吗？

可以。一片起订，支持对公转账并开具 13% 增值税专用发票，随货提供送货单与检测数据，满足高校及科研院所报销要求。

下单后多久发货？

常备现货规格工作日 16:00 前付款当天发出，默认顺丰保价；非常规参数需切磨抛定制，交期一般 3–7 个工作日。

如何确定我需要的参数？

可先看本文「按应用选型速查表」对号入座，或参考《硅晶圆选型完全指南》，也可以直接把器件结构与工艺要求发给工程师，由我们反推衬底规格。

Test 片和 Prime 片实测差别有多大？

主要差别在颗粒控制、金属污染水平与平整度（TTV）的管控严格程度。工艺摸索、设备验证、高校实验用 Test 片完全足够；进入量产流片或对缺陷密度敏感的关键工艺（如栅氧、外延基底）再升级 Prime。每片随附检测数据，可对比后再决定。

8 英寸、12 英寸缺货的参数能订吗？

可以。非常规晶向、电阻率或厚度的大尺寸片由国内拉晶/抛光厂排产定制，交期一般 2–4 周；急用场景可评估用库存相近参数替代，或由定制加工在现有片基础上改厚度、镀膜。

CZ、MCZ、FZ 到底怎么选？

看器件对氧含量与电阻率的需求：常规 CMOS、逻辑与 MEMS 选 CZ 即可；功率器件（IGBT/MOSFET）与图像传感器希望低氧、电阻率均匀，选 MCZ；需要高阻（>1000 Ω·cm）、低衬底损耗的射频、硅光、高压与探测器场景，选 FZ。拿不准时可把器件类型与目标参数发给工程师。

背面处理（背封）可以定制吗？有什么作用？

可以。常见背面处理包括腐蚀（亮面）、研磨、多晶硅背封与热氧化/LPCVD 氮化硅层。多晶硅背封用于重金属内吸杂，氧化/氮化层可用作刻蚀停止或隔离；外延用片常要求背封以抑制自掺杂。下单时注明背面工艺要求即可。

常备现货尺寸和厚度有哪些？

尺寸覆盖 2 / 3 / 4 / 5 / 6 / 8 / 12 英寸，其中 8、12 英寸库存最充足；厚度按 SEMI 标准（如 8 英寸 725±25μm、12 英寸 775±25μm），标准厚度外还可定制 100–1500μm。

单面抛光和双面抛光怎么选？

单面抛光（SSP）适合常规器件工艺；双面抛光（DSP）用于晶圆键合与双面光刻，MEMS 体硅工艺也常选 DSP，下单时注明即可。

随片会提供哪些检测数据？

随片提供厚度、TTV、颗粒、电阻率与晶向检测数据，并可出具 CoC 证书；Prime 级 TTV ≤ 1.5μm，普通级 ≤ 3μm，便于来料验收与工艺对标。

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