化合物半导体衬底（SiC / GaN / 蓝宝石 / GaAs / InP）
第三代半导体核心衬底现货供应，覆盖功率电子、射频前端、光电子与激光器件应用，随片检测报告，一片起订含税报价。
产品介绍
化合物半导体衬底是宽禁带与 III-V 族器件的基础平台，覆盖功率电子、射频前端、光电子与激光器件。我们供应国产主流晶厂与专业外延厂的 4H-SiC、GaN、蓝宝石、GaAs、InP 等衬底与模板片，随片提供 XRD、位错、翘曲与电阻率等检测数据。
化合物半导体衬底：覆盖 SiC / GaN / 蓝宝石 / GaAs / InP
应用场景
新能源汽车
800V 平台 SiC MOSFET 逆变器可提升续航并缩小体积，是 4H-SiC 导电型衬底的核心增长市场。
光伏与储能
SiC 器件用于组串逆变器与双向储能变流器，高频高效、耐高温，详见功率电子应用。
5G 与射频
半绝缘 SiC 作为 GaN 射频外延衬底，服务于基站功放与毫米波，详见射频与功率器件应用。
LED 与光电子
蓝宝石与 GaN 模板支撑蓝/绿光及深紫外 LED 外延，详见光电子与激光雷达应用。
工业电源
SiC SBD/MOSFET 模块用于工业电机驱动、快充与不间断电源，提升能效与功率密度。
科研与原型
零微管、半绝缘与定制外延片支持器件研发，一片起订，详见科研与原型应用。
能力介绍
- 衬底 + 外延一体化：可对接 SiC 同质外延与 GaN-on-SiC / GaN-on-Si / GaN-on-Sapphire 外延资源；
- 薄膜沉积：介质与金属薄膜沉积，配合器件工艺；
- 刻蚀 / DRIE：SiC 与化合物半导体的图形刻蚀；
- 激光切割：脆性化合物衬底的划片与异形切割；
- 减薄：降低器件纵向电阻，改善散热；
- 检测与认证：XRD、位错、翘曲、电阻率检测，随片出报告与 CoC。
随片提供 XRD、位错、翘曲与电阻率检测数据
为什么选择国产衬底 + 我们的现货
价格与交期优势：国产一线晶厂直供，省去进口环节，常规规格 48 小时发货。
- 检测数据齐全：随片提供 XRD、电阻率、位错、翘曲度检测报告，科研验收无忧。
- 小批量友好：一片起订，适配科研探索与产线验证阶段的用量。
- 配套外延与加工：可对接 SiC/GaN 外延生长与器件工艺加工资源，完整能力见定制加工总览。
参数规格
GaN 外延片（GaN-on-Sapphire）
除自支撑 GaN 与 SiC/GaN 衬底外，我们也供应以 C 面蓝宝石为基底、MOCVD 生长的 GaN 外延模板片，用于 LED、功率与微波器件的外延起点。标准结构含 AlN 缓冲层，可按需选择 UID、N 型（Si）或 P 型（Mg）掺杂。
| 参数项 | 典型规格 | 说明 |
|---|---|---|
| 直径 | 2 / 4 / 6 / 8 英寸 | 2、4 英寸常备，6/8 英寸按需排产 |
| 基底 / 晶向 | C 面蓝宝石（0001），430μm 或 650μm | LED 外延标准平台 |
| GaN 外延层厚度 | 2 / 3.5 / 5 / 8 μm（可定制） | 厚度均匀性典型 ±5% |
| 掺杂选项 | UID / N 型（Si）/ P 型（Mg） | 面阻：N 型 300–800 Ω/sq；UID > 10⁶ Ω/sq |
| 位错密度 | < 5×10⁸ /cm²（常规）；< 1×10⁸ /cm²（高等级） | 越高等级外延质量越好 |
| AlN 缓冲层 | 20–30 nm | 标准模板均含 |
| XRD FWHM（0002） | < 300 arcsec（常规）/ < 200 arcsec（高等级） | 表征晶体质量 |
| 表面粗糙度 Ra | < 0.5 nm（AFM 5×5μm） | Epi-Ready |
| 翘曲 Bow | ≤ 40μm（4″）/ ≤ 80μm（6″）/ ≤ 120μm（8″） | 随片提供检测数据 |
其他化合物衬底
| 材料 | 常备尺寸 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 氮化镓 GaN（自支撑 / 模板片） | 2 / 4 英寸 | HEMT、功率器件、激光器 |
| 蓝宝石 Sapphire（C/A/M/R 面） | 2 / 4 / 6 英寸 | LED 外延、GaN 外延衬底、光学窗口 |
| 砷化镓 GaAs（半绝缘 / 掺杂） | 2 / 3 / 4 / 6 英寸 | 射频 PA、VCSEL、LED |
| 磷化铟 InP | 2 / 3 / 4 英寸 | 光通信激光器、探测器 |
| 锗 Ge / 氮化铝 AlN / 氧化镓 Ga₂O₃ | 按需定制 | 探测器、滤波器、超宽禁带研究 |
按应用选型对照表
| 应用方向 | 推荐衬底 / 结构 | 选型要点 |
|---|---|---|
| 电动车牵引逆变器 | 4H-SiC 导电型 | 高击穿场强、低导通电阻，8 英寸助力降本 |
| 5G 基站 / 雷达功放 | GaN-on-SiC（半绝缘 SiC） | 高功率密度，SiC 高导热保障散热 |
| 光伏逆变 / 储能变流 | 4H-SiC | 高频高效、耐高温、长寿命 |
| 数据中心 / 快充电源 | GaN-on-Si 功率 HEMT | 高频开关、低损耗，650V 以内性价比高 |
| 蓝 / 绿光 LED 外延 | C 面蓝宝石 / GaN-on-Sapphire | 晶格匹配、透明、成本可控 |
| 深紫外 LED / 声学滤波 | AlN / 蓝宝石 | 紫外透过、与 AlGaN 晶格匹配 |
| 毫米波 / 微波器件 | 半绝缘 SiC / GaN | 高饱和速度、低衬底损耗 |
| 高温 / 航天电子 | 4H-SiC / GaN | 宽禁带、耐高温、抗辐照 |
4H-SiC 碳化硅衬底
碳化硅（SiC）凭借宽禁带、高击穿场强与高导热特性，是新能源汽车、光伏逆变、轨道交通功率器件的核心材料。我们供应国产主流晶厂的 4H-SiC 衬底：
| 参数项 | 导电型（N 型） | 半绝缘型（SI） |
|---|---|---|
| 尺寸 | 4 / 6 / 8 英寸 | 4 / 6 英寸 |
| 典型应用 | SBD、MOSFET、功率模块 | GaN-on-SiC 射频外延 |
| 电阻率 | 0.015 – 0.030 Ω·cm | ≥ 1×10⁵ Ω·cm |
| 微管密度 | ≤ 0.5 cm⁻²（零微管可选） | ≤ 0.5 cm⁻² |
| 位错密度 (EPD) | ≤ 3000 cm⁻² | ≤ 3000 cm⁻² |
| 厚度 / 翘曲 | 350μm（6英寸）/ Warp ≤ 40μm | 同左 |
SiC / GaN 与硅的材料特性对比
宽禁带材料之所以成为功率与射频器件的首选，源于其禁带宽度、临界击穿场强与导热能力相对硅的全面优势：
| 材料特性 | 4H-SiC | GaN | 硅（Si） |
|---|---|---|---|
| 禁带宽度（eV） | 3.26 | 3.4（直接带隙） | 1.12 |
| 临界击穿场强（MV/cm） | 2.8 | 3.3 | 0.3 |
| 电子迁移率（cm²/V·s） | ≈1000（体材料） | ≈2000（2DEG 沟道） | ≈1350 |
| 饱和漂移速度（×10⁷ cm/s） | 2.0 | 2.5 | 1.0 |
| 热导率（W/m·K） | ≈490 | ≈130（体）/ 250（SiC 上） | ≈150 |
| 最高工作温度（℃） | > 200 | > 500 | ≈150 |
| 典型器件 | MOSFET、SBD、模块 | HEMT、功率开关、LED/激光器 | CMOS、IGBT、逻辑 |
设备与工艺装备
化合物衬底从晶体生长到外延、检测依托专业产线，主要设备类别与用途如下：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 晶体生长炉 | SiC 物理气相传输（PVT）长晶炉；GaAs/InP 垂直梯度凝固（VGF）/ 液封直拉（LEC）炉 | 生长 SiC 与 III-V 族化合物单晶锭 |
| 线切割机 | 多线切割（金刚线） | 将高硬度晶锭切割为晶圆，控制翘曲与厚度 |
| 研磨 / 抛光机 | 双面研磨 + 化学机械抛光（CMP） | 获得 Epi-Ready 镜面，控制 TTV 与表面粗糙度 |
| 外延设备 | MOCVD / 同质外延反应室 | 生长 GaN 模板片与 SiC 同质外延层 |
| 清洗机 | 多槽超声 / 兆声波清洗线 | 去除颗粒与金属污染，保证外延前表面洁净 |
| 检测设备 | XRD、位错/微管计数、翘曲度与电阻率量测 | 随片出具晶体质量与电学检测数据 |
实际案例
6 英寸 SiC 导电型片验证批
某功率器件团队开发 SiC MOSFET，需 6 英寸导电型衬底做器件验证，要求微管密度与翘曲数据齐备。
结果：以零微管可选等级交付，随片提供微管密度、翘曲与电阻率报告，缩短客户验证周期。
半绝缘 SiC 与 GaN 模板配套
某射频团队需要半绝缘 SiC 作为 GaN 外延衬底，同时评估 GaN-on-Sapphire 模板用于光电器件。
结果：衬底 + 外延一体化对接，一次提供两类平台样品，工程师协助确认外延结构与掺杂方案。
零微管片小批量供应
某高校课题组研究宽禁带器件，需要零微管 4H-SiC 小批量片并随附完整检测数据。
结果：一片起订现货供应，随片出具 XRD 与位错检测报告，满足科研验收要求。
常见问题
4H-SiC 导电型和半绝缘型怎么区分用途？
可以要零微管（Zero Micropipe）的片吗？
蓝宝石衬底的晶面怎么选？
8 英寸（200mm）SiC 现在能供货吗？
GaN 衬底是自支撑还是外延片？
SiC 和 GaN 功率器件到底选哪个？
提供器件结构或外延需求，工程师帮您定衬底规格
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