切割与改尺寸
激光/划片切割，晶圆改小尺寸（8→6→4 英寸等）、切方片异形片、开槽打孔，边缘崩边 ≤ 30μm。
晶圆定制加工服务
从来图到交付：切割、减薄、抛光、镀膜、光刻、键合一站式加工，每批附检测报告，小批量与科研急单同样欢迎。
应用场景
研削减薄与抛光
背面减薄至 50μm（更薄需临时键合支撑），单/双面抛光，TTV 控制与表面粗糙度检测随批提供。
薄膜沉积
热氧化 SiO₂（50nm–2μm）、LPCVD Si₃N₄ / Poly-Si、PVD/蒸发金属膜（Al、Ti、Cr、Au、Cu、Pt 等）。
光刻图形化
接触式/步进式光刻，配套掩膜版制作，最小线宽视工艺 0.5–2μm，含刻蚀转移。
晶圆键合
阳极键合（硅-玻璃）、直接键合、临时键合/解键合，配套 SOI 结构与 MEMS 腔体工艺。
TSV / TGV 工艺对接
硅通孔与玻璃通孔项目制合作：打孔、绝缘、种子层、电镀填充、CMP 全链条资源整合。
能力介绍
同一位工程师贯穿工艺评估、打样与批量排产，从单片可行性验证到小批量试产再到批量稳定交付，参数与检测口径保持一致，减少跨供应商交接带来的重复验证。
单片工程验证
首件可行性验证与工艺窗口摸底，适合新结构、新材料或参数尚未确定的项目，出数据后再决定是否放量。
小批量试产（5–25 片）
用于良率爬坡与可靠性验证，按确认参数稳定排产，关键节点拍照与数据同步。
批量交付
批量订单按月度框架排产，阶梯报价，CoC/检测报告随批出具，参数与试产阶段保持一致。
加工流程
需求评估
发送图纸或工艺要求，工程师 1 个工作日内反馈可制造性与报价。
打样确认
首件/首批小量验证，检测数据发您确认后再批量加工。
批量加工
按确认参数排产，过程关键节点拍照/数据同步。
交付
成品 + 检测报告（膜厚、TTV、颗粒、线宽等按工艺项提供）+ 发票。
每批加工随附膜厚、TTV、颗粒与线宽等检测数据
加工数据与检测
同一位工程师贯穿工艺评估、打样与批量排产，从单片可行性验证到小批量试产再到批量稳定交付，参数与检测口径保持一致，减少跨供应商交接带来的重复验证。
参数规格
下表汇总全部工艺服务线与核心能力一句话，点击工艺名进入对应服务页查看能力指标表与 FAQ：
| 工艺 | 核心能力 | 详情 |
|---|---|---|
| 光刻工艺 | 接触式/步进式光刻，最小线宽 0.5μm，配套掩膜版制作 | 查看 |
| 薄膜沉积 | PVD/CVD/PECVD/ALD/热氧化全膜系，均匀性 ≤±2% | 查看 |
| 刻蚀 / DRIE | 湿法/干法/深硅刻蚀，深宽比最高 30:1，侧壁陡直 | 查看 |
| 晶圆键合 | 直接/阳极/共晶/胶合/临时键合，MEMS 腔体与 SOI 结构 | 查看 |
| 减薄 / Taiko | 背面减薄至 50μm，Taiko 环支撑，配套临时键合 | 查看 |
| 激光切割 | 改尺寸、异形片、开槽打孔，崩边 ≤30μm | 查看 |
| 离子注入 | B/P/As 等掺杂，能量 10–400keV，配套退火激活 | 查看 |
| 激光打标 | 晶圆 ID/批次 SEMI 字体打标，全流程追溯 | 查看 |
| 聚酰亚胺（PI）加工 | PI 涂布/固化/图形化，柔性衬底与缓冲层 | 查看 |
| TSV 工艺 | 硅通孔打孔/绝缘/种子/电镀填充/CMP 全链条 | 查看 |
| 凸块 / UBM | SnAg/Cu 柱/Au 凸块，UBM 多层结构，pitch 至 80μm | 查看 |
| RDL 加工 | 重布线线宽/线距至 5/5μm，PI/BCB 介质多层 | 查看 |
| 检测与认证 | TTV/颗粒/TXRF/膜厚等九项检测，随片 CoC 报告 | 查看 |
典型工艺交付周期与起订量
| 工艺类别 | 最小起订量 | 常规周期 | 随批检测 |
|---|---|---|---|
| 切割 / 改尺寸 | 1 片 | 3–5 个工作日 | 崩边、尺寸复测 |
| 研削减薄 / 抛光 | 1 片 | 3–5 个工作日 | TTV、厚度、粗糙度 |
| 薄膜沉积（氧化/CVD/PVD） | 1 片 | 5–7 个工作日 | 膜厚 mapping、均匀性 |
| 光刻图形化（含掩膜） | 1 片 | 1–2 周 | 线宽 CD、对准精度 |
| 晶圆键合 | 1 对 | 1–2 周 | 键合强度、空洞率（抽检） |
| TSV / TGV 项目制 | 按项目评估 | 4–8 周 | 孔径、填充完整性、电性 |
衬底定制与配套能力
| 定制项 | 能力说明 | 相关产品 / 服务 |
|---|---|---|
| 非标电阻率 | 按目标电阻率定制，片内/片间一致性数据随批提供 | 硅晶圆衬底 |
| 晶向与偏角 | 常规晶向可选，偏角按器件需求约定并做取向确认 | 硅晶圆衬底 · 硅外延片 |
| 背面膜层 | 背面氧化 / 多晶硅 / 氮化硅等吸杂或刻蚀停止结构 | 镀膜衬底 · 薄膜沉积 |
| 定位边 / notch | 平边或 notch 定位，按设备卡盘与机械手要求配置 | 激光切割 |
| 激光打标 ID | 批次与单片可追溯编号，支持正反面打标 | 激光打标 |
| 检测与认证 | TTV/Bow/Warp、颗粒、金属污染、膜厚等随批检测 | 检测与认证 |
常用衬底可在硅晶圆、SOI、玻璃 / TGV、SiC / GaN等产品页直接选型；研究型项目可参考科研与原型与工艺选择指南。
设备与工艺装备
按工艺类别配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 切割设备 | 激光切割机 / 金刚刀划片机 / 边缘磨削机 | 改尺寸、方片异形片、开槽打孔与划片分粒 |
| 减薄与抛光设备 | 背面研磨机（粗磨/精磨） / CMP 抛光机 / 干式抛光机 | 背面减薄、镜面化与损伤层去除 |
| 薄膜沉积设备 | PVD 溅射台 / 电子束蒸发机 / LPCVD 炉 / PECVD 设备 | 金属膜、介质膜与多晶硅膜制备 |
| 光刻设备 | 匀胶机 / 接触式光刻机 / 步进式光刻机 | 图形化曝光与掩膜对准 |
| 刻蚀设备 | 湿法腐蚀槽 / ICP 刻蚀机 / DRIE 深硅刻蚀机 | 图形转移与深结构加工 |
| 键合设备 | 晶圆键合机 / 对准机 / 退火炉 | 直接键合、阳极键合与临时键合 |
| 检测设备 | 测厚仪 / 颗粒计数器 / 显微镜与 CD 量测 | 随批检测膜厚、TTV、颗粒与线宽 |
实际案例
高校 MEMS 结构小批量加工
某研究团队仅提供结构示意图与目标线宽，委托完成掩膜、光刻与 DRIE 深槽加工，采用单片工程验证先行放出首片数据。
首片剖面 SEM 与线宽数据确认后放量，减少试错与重复验证。
SiC 器件片减薄 + 背金 + 划片一体化
6 英寸 SiC 器件片由同一窗口完成背面减薄、应力释放、背面金属化与激光划片，控制 TTV 与翘曲并减少跨厂转运。
整链排产缩短交接等待，随批提供 TTV 与背面粗糙度数据。
监控片批量再生与 ID 追溯
产线退役监控片按月回收，完成去膜、研磨、抛光、清洗与重新打标，按批次建立可追溯档案。
监控片综合耗材成本较持续采购新片明显下降。
常见问题
可以只加工我们自己提供的片子吗？
可以，支持来料加工。请在发货前告知片子的材质、尺寸、已有膜层与耐温限制，工程师会评估工艺兼容性。
科研急单最快多久？
切割、减薄、镀膜类常规工艺 3–5 个工作日；光刻图形化视掩膜版情况 1–2 周。有加急通道，具体以评估回复为准。
加工损耗怎么算？
来料加工按行业标准约定合理损耗率（通常 ≤5%，具体工艺单独约定），超出部分由我方承担补片或赔偿。
多步工艺（如光刻+刻蚀+镀膜）能一次下单吗？
可以，推荐按完整工艺流程一次下单：由同一位工程师统筹排产与中间检验，避免多供应商交接的等待与责任不清，整链报价通常也低于分段委托。
「多工序一站式」和「分段委托给不同厂家」有什么差别？
一站式模式下工序之间由我方衔接，减少了片子在运输与交接中的污染、氧化与等待，界面兼容性（如膜层与光刻胶、刻蚀选择比）在排产前就统一评估；检测口径前后一致，中间节点数据可追溯，出现问题时责任界面清晰。分段委托则需您在多家之间协调接口与复检。
研发小批量（几片到几十片）能承接吗？
可以。支持单片工程验证 → 小批量试产 → 批量排产三档推进：先做可行性验证与工艺窗口摸底，再以 5–25 片做良率与可靠性验证，最后进入批量。参数与检测口径在各阶段保持一致，减少量产前的重复验证。
减薄最薄能做到多少？
常规背面减薄可做到 50μm；更薄的目标厚度需要先做临时键合，用硅或玻璃载片支撑后再减薄与做背面工艺，完成后解键合分离。请提供材质、尺寸、初始与目标厚度，工程师评估可行性。
镀膜能做哪些材料、厚度范围多少？
介质膜可做热氧化 SiO₂（50nm–2μm）与 LPCVD Si₃N₄ / Poly-Si；金属膜可做 PVD/蒸发 Al、Ti、Cr、Au、Cu、Pt 等。膜厚与均匀性按工艺项随批提供 mapping 数据，具体膜系与厚度由工程师确认。
光刻最小线宽是多少？掩膜版要自己做吗？
接触式/步进式光刻，最小线宽视工艺为 0.5–2μm，配套掩膜版制作并含刻蚀转移。掩膜版可由我方制作，也可用您提供的版；图形化后随批提供线宽 CD 与对准精度检测。
能改晶圆尺寸或切异形片吗？崩边控制如何？
可以。支持激光/划片切割改小尺寸（如 8→6→4 英寸）、切方片异形片与开槽打孔，边缘崩边可控制在 ≤30μm，并随批复测尺寸。请提供目标尺寸与图形要求。