TEOS 氧化硅片
以正硅酸乙酯（TEOS）为源、LPCVD / PECVD 沉积的氧化硅膜：台阶覆盖与间隙填充优异，用于侧墙、层间介质与牺牲层。
产品介绍
TEOS 氧化硅片（TEOS Oxide Wafer）是以正硅酸乙酯（TEOS，Si(OC₂H₅)₄）为前驱体、通过化学气相沉积在硅片表面生成二氧化硅膜的衬底。TEOS 在沉积过程中热分解并氧化形成 SiO₂，膜厚、成分可控；相比以硅烷为源的沉积，TEOS 氧化硅的台阶覆盖与间隙填充能力更优、膜层均匀、颗粒较少。
两种主要工艺：LPCVD TEOS 在约 650–750℃ 热壁反应，膜层致密、台阶覆盖优异，适合侧墙与牺牲层；PECVD TEOS 在约 300–400℃ 等离子增强，可在金属化后等温度敏感结构上沉积，并以臭氧工艺优化间隙填充。TEOS 氧化硅广泛用于晶体管侧墙、层间介质、浅槽间隙填充、钝化与 MEMS 牺牲层；每批随附椭偏膜厚与折射率映射、应力及刻蚀速率，工艺见薄膜沉积与镀膜。
核心特性
- 以 TEOS 为源沉积 SiO₂，膜厚可控；
- LPCVD 约 650–750℃，致密、台阶覆盖 ＞ 90%；
- PECVD 约 300–400℃，适合低温与间隙填充；
- 折射率约 1.45–1.46；
- 均匀性好、颗粒低；
- 适合侧墙、层间介质与牺牲层。
TEOS 氧化硅片：共形覆盖能力强
应用场景
晶体管侧墙
LPCVD TEOS 沉积后回刻，形成栅侧墙。
层间介质
金属层间绝缘与平坦化的底层介质。
间隙填充
高密度结构与浅槽的共形、无空洞填充。
钝化保护
器件表面的介质钝化层。
MEMS 牺牲层
可被释放的氧化硅牺牲膜。
临时介质层
工艺中的阻挡与掩蔽介质，详见MEMS 与传感器。
参数规格
| 参数 | 规格 / 可定制范围 |
|---|---|
| 前驱体 | TEOS（正硅酸乙酯） |
| 沉积方法 | LPCVD（约 650–750℃）/ PECVD（约 300–400℃） |
| 氧化方式 | 热分解、O₂ / O₃ 氧化或等离子增强 |
| 折射率 | 约 1.45–1.46（632.8nm） |
| 台阶覆盖 | ＞ 90%（LPCVD） |
| 膜应力 | 约 –100 至 –300MPa 压应力，可工艺调节 |
| 参数 | 规格 / 可定制范围 |
|---|---|
| 膜厚范围 | 按需求（数十 nm 至数 μm） |
| 面内均匀性 | 约 ±2–5%（视工艺而定） |
| 颗粒 | 洁净沉积、低颗粒 |
| BHF 速率 | 随膜密度变化，随批提供 |
| 直径 | 100mm、150mm、200mm、300mm |
| 晶向 | 〈100〉、〈111〉、〈110〉 |
设备与工艺装备
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| LPCVD 炉 | 热壁卧式 / 立式炉 | TEOS 热分解沉积 |
| PECVD 反应器 | 平行板等离子 | 低温 TEOS 沉积 |
| 臭氧供气 | O₃ 发生与混合 | O₃-TEOS 间隙填充 |
| 椭偏仪 | 膜厚 / 折射率 | 多点映射 |
| 应力测量 | 晶圆曲率扫描 | 膜应力 |
| 湿法台 | BHF 速率验证 | 膜密度指标 |
常见问题
TEOS 氧化硅是什么？
以正硅酸乙酯为前驱体沉积的 SiO₂，台阶覆盖与间隙填充能力优于硅烷氧化。
LPCVD 和 PECVD TEOS 怎么选？
LPCVD 约 650–750℃、致密，适合侧墙；PECVD 约 300–400℃，适合金属化后与间隙填充。
什么是 O₃-TEOS？
以臭氧为氧化剂的 TEOS 工艺，流动性好、间隙填充能力强。
TEOS 氧化硅有哪些用途？
侧墙、层间介质、间隙填充、钝化与 MEMS 牺牲层。
随批提供哪些数据？
椭偏膜厚 / 折射率、应力与 BHF 刻蚀速率。
TEOS 氧化硅的折射率和膜厚范围是多少？
折射率约 1.45–1.46（632.8nm），膜厚可按需求从数十 nm 到数 μm，面内均匀性约 ±2–5%（视工艺而定）。
膜应力大概多大，能调节吗？
TEOS 氧化硅膜应力约 –100 至 –300MPa 压应力，可通过工艺调节；必要时可双面沉积平衡应力，降低晶圆翘曲。
台阶覆盖能力怎么样？
LPCVD TEOS 的台阶覆盖 > 90%，共形性好，适合晶体管侧墙与高深宽比结构的间隙填充，致密的膜层也是其优势。
支持哪些晶圆尺寸和晶向？
直径覆盖 100/150/200/300mm，晶向可选〈100〉、〈111〉、〈110〉，在硅片表面沉积 TEOS 氧化硅膜。
膜厚均匀性和颗粒怎么控制？
面内均匀性约 ±2–5%（视工艺而定），采用洁净沉积工艺控制颗粒；每批通过椭偏多点映射确认膜厚与折射率均匀性。
告知膜厚、工艺（LPCVD / PECVD / O₃）、直径与数量，24 小时内回复
侧墙到层间介质均可定制