扇出型 WLP
单芯片 I/O 扇出重排，无基板、薄型化，移动终端与电源管理芯片的主流封装形态。
RDL 重布线（Redistribution Layer）工艺
最小线宽线距 5/5μm、最多 4 层铜布线，PI / BCB 介质层可选，与 UBM、凸块同线配套，服务扇出型封装、WLP 与 2.5D 转接板项目。
服务介绍
RDL（重布线层）在晶圆表面重新排布 I/O 焊盘位置：把芯片周边的细间距焊盘扇出（fan-out）为适合凸块或焊球的阵列，或在转接板上实现裸片之间的高密度互连。它是扇出型封装、晶圆级封装（WLP）与 2.5D 封装的基础工艺，详见 RDL / 凸块先进封装方案。
我们提供最小线宽线距 5/5μm、最多 4 层铜布线能力，介质可选 PI 或 BCB；与 UBM、凸块同线配套可一次交付，减少界面污染；介质工艺细节见 聚酰亚胺（PI）加工，配套掩膜可自制。
最小线宽线距 5/5μm、最多 4 层铜布线，与凸块同线配套
应用场景
多芯片扇出 / Chiplet
多裸片重构晶圆上做多层 RDL 互连，是 2.5D/3D Chiplet 的低成本路线，详见 CoWoS / 2.5D Chiplet 方案。
转接板与科研原型
硅 / 玻璃衬底上定制 RDL 图形，支持科研小批量验证，一片起做，配套光刻工艺灵活排产。
射频 / 毫米波
低介损介质与受控阻抗布线，适合射频与毫米波模块的高密度互连与无源集成。
电源管理
多层铜布线实现电源与地平面，降低阻抗与压降，适配电源管理芯片与高电流封装。
玻璃转接板 / TGV
玻璃衬底 CTE 匹配与高频性能有优势，配合 TGV 可构成完整转接板方案，衬底可选玻璃衬底 / TGV。
能力介绍
RDL 与凸块通常同线连续完成，避免中间转运带来的污染与氧化。标准配套流程为：
① 介质层涂布与图形化
旋涂 PI / BCB → 软烘 → 曝光显影开出焊盘窗口 → 固化。
② 种子层与电镀铜
PVD 沉积 Ti/Cu 种子层 → 厚胶光刻 → 电镀铜布线 → 去胶刻种子层。
③ 多层堆叠
重复「介质 + 布线」循环实现 2–4 层 RDL，层间 via 对位精度逐层监控。
④ UBM 与凸块
表层介质开窗后沉积 UBM，电镀焊球 / 铜柱凸块，详见 凸块与 UBM 工艺。
SAP 原理、多层堆叠与集成无源
半加成（SAP）工艺
- 先溅射薄 Cu 种子层（含 Ti/TiW 附着层），再以厚光刻胶定义布线模具；
- 电镀铜填充模具后去胶，只腐蚀薄种子层，得到近矩形截面与更细线宽；
- 线宽分辨率主要由光刻决定而非腐蚀各向同性，因此适合精细 RDL；
- 种子层腐蚀需在「去净」与「少侧蚀」之间平衡，以电性隔离测试与剖面监控把关。
多层堆叠与集成无源
- 每层循环：聚合物介质涂覆固化 → via 光刻开孔 → 种子溅射 → 光刻胶模具 → 电镀 → 去胶 → 蚀种子；
- 多层可实现电源/地平面、信号逃布与受控阻抗差分对布线；
- 层间对准与 via 链连续性逐层验证，保证 1000 via 链高良率；
- 可在层内集成无源器件（电容、电感、电阻），用于射频与电源管理。
线宽、层间对准与 via 链连续性数据随批交付
半加成（SAP）工艺
先溅射薄 Cu 种子层（含 Ti/TiW 附着层），再以厚光刻胶定义布线模具；电镀铜填充模具后去胶，仅腐蚀薄种子层，得到近矩形截面与更细线宽。
参数规格
线宽线距与层数能力
| 参数项 | 能力范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 最小线宽 / 线距（L/S） | 5 / 5 μm | 常规项目 10/10 μm 良率更稳 |
| 布线层数 | 1 – 4 层 | 层间 via 互连 |
| 铜厚 | 3 – 10 μm | 电镀加厚，按电流载流需求设计 |
| 介质层厚度 | 5 – 15 μm / 层 | PI 或 BCB，固化后实测 |
| 晶圆尺寸 | 4 – 12 英寸 | 玻璃 / 硅 / 化合物衬底均可 |
| 线宽均匀性 | 片内 ±1 μm | 随批提供 CD 检测数据 |
| 配套掩膜 | 可由我方制作 | 详见 光刻掩膜版 |
介质层选型：PI 与 BCB
| 对比项 | 聚酰亚胺（PI） | 苯并环丁烯（BCB） |
|---|---|---|
| 介电常数（约） | 3.2 – 3.5 | 2.65 |
| 吸水率 | 较高（1–3%） | 低（<0.3%） |
| 固化温度 | 300 – 400 ℃ | 250 ℃ 左右 |
| 典型优势 | 工艺成熟、成本低、韧性好 | 低介损、低应力、高频性能优 |
| 典型场景 | 常规扇出、WLP、应力缓冲层 | 射频 / 毫米波、多层高密度 RDL |
PI 涂布、固化与图形化能力的细节见 聚酰亚胺（PI）加工工艺。
RDL 质量指标（SAP 半加成工艺）
| 项目 | 目标 / 典型值 | 量测方法 |
|---|---|---|
| 线宽 / 线距 | 2/2μm（单层，按项目评估）；常规 5/5μm | CD-SEM / 顶视 SEM |
| 铜厚（线内） | 目标值 ±5%（1σ） | 轮廓仪 / 剖面 SEM |
| 层间对准 | < 2μm（逐层） | 游标 / 套刻标记 |
| via 链电阻 | < 1 Ω / 1000 via | 菊花链四探针 |
| 种子层侧蚀 | < 0.5μm / 侧 | 剖面 SEM |
| 介质厚度均匀性 | 片内 ±5%（1σ） | 光谱反射 |
| 开孔 CD | 目标值 ±2μm | 光学显微 / SEM |
设备与工艺装备
按介质、布线、电镀与检测环节配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 涂布与固化设备 | 匀胶机 / 热板 / 氮气固化炉 | PI / BCB 介质涂布与固化 |
| 光刻与显影设备 | 光刻机 / 显影设备 | 介质开孔与布线模具图形化 |
| 种子层沉积设备 | PVD 溅射台 | Ti/Cu 种子层与附着层沉积 |
| 电镀与刻蚀设备 | 电镀铜设备 / 去种子层刻蚀设备 | 铜布线电镀成型与种子层去除 |
| 量测设备 | CD-SEM / 轮廓仪 / 光谱反射 / 四探针 | 线宽、铜厚、介质厚度与 via 链电性 |
实际案例
多层 RDL + UBM 凸块同线交付
移动终端扇出封装项目，采用两层铜布线 RDL 与 UBM、焊球凸块同线完成，一次光刻一套交付。
层间对准与 via 链连续性经逐层验证，减少中间转运污染。
BCB 介质高频 RDL
射频模块项目采用 BCB 低介损介质与受控阻抗差分对布线，兼顾高频性能与多层密度。
介质厚度均匀性与线宽控制满足高频布线要求。
玻璃衬底 RDL 定制
玻璃转接板项目在衬底上定制 RDL 图形，配套 TGV 与凸块工艺，支持科研小批量一片起做。
玻璃衬底 RDL 图形与开孔精度经检测确认，衔接后续 TGV。
常见问题
5/5μm 线宽线距和 10/10μm 报价差别大吗？
有明显差别：细线宽对光刻与电镀控制要求更高，良率爬坡成本也更高。若结构允许，建议优先按 10/10μm 设计，评估阶段我们会给出两档报价。
RDL 可以做在玻璃衬底上吗？
可以，玻璃衬底 CTE 匹配与高频性能有优势，配合 TGV 可构成完整转接板方案。衬底可选我方玻璃衬底 / TGV产品，也可来料加工。
PI 和 BCB 怎么选？
常规数字 / 电源类扇出选 PI，成本低且应力缓冲好；射频、毫米波或吸水率敏感的应用选 BCB。拿不准时把频率、温度与可靠性要求发给工程师，24h 内给出建议。
可以只做 RDL 不做凸块吗？
可以。RDL、UBM、凸块各环节可拆分委托，但若后续还要做凸块，建议至少 UBM 与 RDL 同线完成，减少界面污染风险。
半加成（SAP）和传统减成法有什么区别？
减成法是先镀满金属再光刻、腐蚀去除多余部分，腐蚀的各向同性会使线宽受金属厚度限制并带来线宽损失；半加成法先溅射薄种子层、用光刻胶模具定义图形、把铜电镀进模具，再去胶并只腐蚀薄种子层，因而能得到接近矩形的截面、更细的线宽/线距与更低的线路电阻，是精细 RDL 的主流做法。
能做几层 RDL？
常规排产 1–4 层铜布线，面向高密度需求的项目可评估扩展至约 5 层（层间以聚合物介质的 via 互连，累积介质厚度相应增加）。层数、线宽与介质类型会互相牵制，工程师按布线密度与热预算给出建议。
RDL 层里能集成无源器件吗？
可以。可在 RDL 金属层与介质之间集成电容、电感、电阻等无源器件（IPD），减少外挂元件、缩短互连并改善高频性能，常用于射频与电源管理场景；具体图形与容值/感值按版图评估。
能做在多大尺寸的晶圆上？
支持 4–12 英寸，玻璃、硅与化合物衬底均可。衬底可来料加工，也可选用我方衬底产品；不同衬底在翘曲与热膨胀匹配上会有差异，工程师会按版图与叠构给出建议。
铜厚和介质厚度能到多少？
铜厚 3–10μm，按电流载流需求用电镀加厚；介质层 PI 或 BCB 每层 5–15μm（固化后实测）。厚度会影响线宽与翘曲，工程师按布线密度与载流要求给出叠构建议。
RDL 的良率怎么验证？
按质量指标逐项量测：线宽线距用 CD-SEM、铜厚用轮廓仪/剖面 SEM、层间对准用套刻标记、via 链连续性用菊花链四探针（< 1Ω / 1000 via），关键数据随批交付，便于放行判定。
需要定制 RDL 层数或线宽？把版图或需求发给工程师，24h 报价
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