图形定制
在硅 / 玻璃 / SOI 片上定制光刻图形——打标、对准标记与量测靶标，对准精度可达 ±0.1μm。
产品介绍
图形定制通过光刻与刻蚀，为裸硅、玻璃或 SOI 晶圆添加功能性或标识性特征。无论是用于追溯的晶圆级激光打标、供步进设备使用的对准标记，还是面向工艺控制的量测靶标，都可以按您的规格制作。每一片图形化晶圆都配套文档，包含晶圆图、CD-SEM 报告、套刻精度数据与合格证书。
典型能力分为四个方向：打标与识别（OCR、二维码、Data Matrix）、对准与套刻标记、晶圆边缘（平面 / 缺口）定制，以及芯片级图形（序列号、切割道、多项目晶圆框架）。相关工艺对应光刻工艺与激光标记，掩膜来源可参考光刻掩膜版。
核心特性
- 打标类型：OCR 字符、2D Data Matrix、二维码与自定义图形；
- 软标刻蚀深度 < 5μm，硬标 5–50μm，可耐多道工序；
- 对准标记套刻精度可达 ±0.1μm（精密）；
- 支持边缘平面 / 缺口定制，公差 ±0.1°；
- 可按 GDSII / DXF 版图定制芯片级特征与量测结构。
图形定制：通过光刻与刻蚀在晶圆上形成特征
参数规格
| 参数 | 可定制范围 / 取值 |
|---|---|
| 标记类型 | OCR 字符、2D Data Matrix、二维码、自定义图形 / Logo |
| 字符高度 | 0.3–3.0mm（符合 SEMI T7） |
| 点阵密度 | 5×7、7×9、9×13、11×15（可定制栅格） |
| 标记位置 | SEMI M1.15 标准区，或自定义象限 / 边缘 |
| 打标方式 | 激光软标（深度 < 5μm）、硬标（深度 5–50μm） |
| OCR 识别率 | > 99.9%（符合 SEMI M12/M13） |
| 字体选项 | SEMI OCR 标准、高密度、仅人眼可读、自定义 |
| 项目 | 可定制范围 / 取值 |
|---|---|
| 对准标记类型 | 十字、V 形、盒中盒、游标尺、自定义 |
| 标记深度 / 高度 | 100nm–5μm（刻蚀）；50nm–2μm（沉积对比层） |
| 放置精度 | ±0.5μm 标准；±0.1μm 精密（步进对准） |
| 标记材料 | 刻蚀硅、沟槽回填多晶硅、W 塞、TiN、Cr |
| 背面套刻 | 前后套刻精度约 ±0.5μm（红外对位） |
| 芯片级特征 | 芯片序列号、切割道图形（宽 30–200μm）、MPW 框架 |
| 版图输入 | 接受 GDSII 与 OASIS / DXF 格式 |
晶圆边缘（平面 / 缺口）
| 参数 | 可定制范围 / 取值 |
|---|---|
| 主平面 | 按 SEMI M1，对应不同晶向 |
| 缺口 | 按 SEMI M1，200mm 以上常用缺口定位 |
| 自定义平面角度 | 任意晶向，公差 ±0.1° |
| 自定义缺口形状 | 标准或自定义深度 / 宽度、双缺口 |
| 边缘轮廓 | 圆边（bullnose）、倒角、抛光边、研磨边 |
设备与工艺装备
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 光刻设备 | 接触 / 步进曝光机 | 图形转移与对准标记制作 |
| 涂胶显影设备 | 匀胶机、显影台 | 光刻胶涂布与显影 |
| 刻蚀设备 | 干法 / 湿法刻蚀、DRIE | 硬标、对准标记与切割道成形 |
| 激光打标机 | 激光软标系统 | OCR / 二维码等识别标记 |
| 薄膜沉积 | PVD / PECVD | 沉积对比层与金属标记 |
| 套刻量测仪 | 套刻 / 对准精度量测 | 验证 ±0.1μm 级放置精度 |
| CD-SEM | 关键尺寸扫描电镜 | 线宽与图形尺寸验证 |
| AOI 检查 | 自动光学检测 | 图形完整性与缺陷检查 |
| 边缘加工设备 | 磨边 / 倒角机 | 平面、缺口与边缘轮廓成形 |
实际案例
追溯标识
硬标序列号用于多工序追溯
某产线需要能在氧化、扩散与刻蚀多道工序后仍可读取的晶圆标识。
结果：制作深度约 20μm 的硬标字符，OCR 识别率 > 99.9%，随批附 AOI 与量测数据。
设备校准
套刻量测用基准片
某团队需要高精度对准标记与套刻结构，用于光刻设备的定期校准与匹配。
结果：按 GDSII 制作盒中盒与游标结构，放置精度 ±0.1μm，随批提供套刻量测数据。
科研定制
自定义量测与工艺控制结构
某课题组开发新工艺，需要方阻、膜厚、应力与刻蚀速率监测图形。
结果：按版图制作全套量测结构，随批提供 CD-SEM 与图形检查报告。
常见问题
软标和硬标有什么区别，怎么选？
软标由激光制作，深度通常 < 5μm，工艺简单、对晶圆影响小，适合常规追溯；硬标通过刻蚀或深槽制作，深度约 5–50μm，能承受氧化、扩散、刻蚀等多道工序后仍可读取，适合全流程追溯。按工序数量与读取环境选择即可。
对准标记的精度能做到多少？
常规放置精度约 ±0.5μm；采用步进对准的精密方案可做到 ±0.1μm。需要双面对准时，前后套刻精度约 ±0.5μm，采用红外对位实现。
可以自定义晶圆边缘的平面或缺口吗？
可以。除 SEMI M1 标准平面 / 缺口外，可指定任意晶向的平面角度（公差 ±0.1°）与自定义缺口形状；边缘轮廓可选圆边、倒角、抛光边或研磨边。
支持哪些版图文件格式？
主要接受 GDSII，也支持 OASIS 与 DXF 等格式。提交版图与图形要求后，工程师会先做可制造性评估再报价。
交付时包含哪些数据？
包含晶圆图、AOI 检查结果、CD-SEM 关键尺寸报告与套刻 / 对准精度数据，以及合格证书；所有数据可追溯到具体批次。
晶圆打标支持哪些类型，识别率如何？
支持 OCR 字符、2D Data Matrix、二维码与自定义图形 / Logo，字符高度 0.3–3.0mm，OCR 识别率 > 99.9%（符合 SEMI M12/M13）。
打标位置有标准吗？
默认按 SEMI M1.15 标准区，也可指定自定义象限或边缘位置；点阵密度有 5×7、7×9、9×13、11×15 等多种可选。
对准标记可以用什么材料做？
可采用刻蚀硅、沟槽回填多晶硅、W 塞、TiN 或 Cr 等；标记深度 100nm–5μm（刻蚀），沉积对比层 50nm–2μm，按工艺选取。
能定制芯片级特征和量测结构吗？
可以。按 GDSII / OASIS / DXF 版图制作芯片序列号、切割道图形（宽 30–200μm）与 MPW 框架，以及方阻、膜厚、应力、套刻等量测结构。
图形定制可以用在哪些场景？
常用于晶圆追溯、光刻设备校准、工艺开发表征、SPC 在线监控、科研教学与失效分析基准，可在裸硅、玻璃或 SOI 晶圆上制作。
提交标记类型与版图文件，工程师 24 小时内回复方案
接受 GDSII / DXF · 支持 AOI 与 CD-SEM 交付数据