MEMS 与传感器
接触式/接近式视场大、成本低，适合 ≥1μm 线宽的 MEMS 结构、传感器与执行器图形化，是科研小批量的高性价比选择。
光刻工艺代工服务
接触式、接近式到步进式曝光，i-line / DUV 光源，分辨率可达 0.5μm，掩膜版与光刻胶一站配套，从单片验证到小批量图形化均可承接。
能力介绍
覆盖正胶、负胶、图像反转胶与永久介质胶的完整图形化能力，厚胶一次涂布可达数十至数百微米：
- 正性胶：分辨率与图形边缘质量更优，热稳定至约 130°C，适合精细线条与刻蚀掩蔽层；
- 负性胶 / 厚胶：单次涂布可达数十至数百微米，化学耐受性好，适合 MEMS 厚结构、电镀模具与高深宽比沟槽；
- 图像反转胶：一次涂胶经反转烘烤即可正负转换，可形成负侧壁，用于金属 lift-off 剥离工艺；
- 聚酰亚胺 / BCB：永久性介质，耐温与绝缘性好，可作平坦化层，详见聚酰亚胺（PI）加工；
- 工艺配套：HMDS 增粘、旋涂、前烘、对准曝光、显影、坚膜全流程，显影后 CD 检测随批提供；
- 来料加工：可在客户自备衬底（含镀膜片、键合片）上进行图形化，工程师先评估膜层与胶的兼容性。
下单流程
提交需求
发送 GDSII 版图或结构示意图，说明衬底、膜层、线宽与套刻要求。
工艺评估
工程师 24h 内反馈曝光方式选择、掩膜/胶配套方案与含税报价。
首片验证
先出首片并附 CD/套刻检测数据，确认后批量曝光。
交付
成品片 + 检测报告 + 13% 增值税专票，顺丰保价寄送。
涂胶、曝光、显影全流程控制，CD 与套刻数据随批交付
涂胶与显影全流程
覆盖正胶、负胶、图像反转胶与永久介质胶的完整图形化能力，厚胶一次涂布可达数十至数百微米。
参数规格
光刻能力指标
| 项目 | 接触/接近式 | 步进式 i-line | 步进式 DUV |
|---|---|---|---|
| 最小分辨率 | 1μm | 0.5μm | 0.25μm |
| 套刻精度（Overlay） | ±1μm | ±0.15μm | ±0.1μm |
| 适用晶圆尺寸 | 2–8 英寸 | 4–8 英寸 | 6–8 英寸 |
| 胶厚范围 | 0.5–200μm（含厚胶） | 0.5–10μm | 0.3–3μm |
| 单片产能 | ≈60 片/小时 | ≈40 片/小时 | ≈30 片/小时 |
| 典型层数 | 1–5 层 | 1–15 层 | 1–20 层 |
工艺环节能力
| 工艺环节 | 能力说明 |
|---|---|
| 掩膜版配套 | 铬版苏打玻璃 / 石英基板，最小图形 0.8μm（石英电子束），交期 3–7 天 |
| 对准方式 | 正面/背面对准（双面图形可选红外对准），对准标记可代设计 |
| 图形转移 | 可衔接 湿法/干法刻蚀、lift-off、电镀等后道工艺 |
| 质量检测 | 显影后 CD/线宽抽测、套刻偏移量测、表面缺陷目检，数据随批附检测报告 |
五种曝光技术对照
| 技术 | 分辨率 | 特点 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| 接触式光刻 | 0.5–2μm | 视场大、成本低，掩膜与晶圆直接接触 | 传感器、功率器件、封装级图形 |
| 接近式光刻 | 2–5μm | 掩膜与晶圆留 10–50μm 间隙，减少掩膜磨损、产能更高 | 线宽要求较宽的量产图形 |
| 步进投影（i-line） | 0.35–0.5μm | 投影倍率曝光（4×/5×），套刻精度高 | 多层套刻、较严线宽控制器件 |
| 无掩膜直写 | 0.6–2μm | 无需掩膜版，支持 GDSII/DXF/CIF，改版灵活 | 科研验证、快速打样、小批量 |
| 纳米压印（NIL） | < 50nm | UV 或热压印，可高深宽比，对模板要求高 | 亚微米/纳米级结构研究 |
设备与工艺装备
按曝光路线与预处理环节配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 涂胶显影设备 | 匀胶机（旋涂）/ 喷涂涂胶机 / 显影设备 | 光刻胶涂布、显影与高起伏表面覆盖 |
| 接触/接近式光刻机 | 掩膜对准机（含双面对准） | ≥1μm 线宽的大视场图形化 |
| 步进式光刻机 | i-line 步进机 / DUV 步进机 | 多层套刻与精细线宽曝光 |
| 无掩膜直写设备 | 激光直写机 | 快速打样与免掩膜图形化 |
| 烘烤与热处理设备 | 热板 / 烘箱 / 坚膜炉 | 前烘、后烘与胶层坚膜 |
| 检测设备 | CD-SEM / 光学线宽与套刻量测 | 线宽与套刻精度验证 |
实际案例
无掩膜直写快速验证版图
某课题组版图仍在迭代，先采用无掩膜直写完成 0.6–2μm 图形验证，图形定型后再切换接触式配铬版掩膜放量。
省去首轮掩膜费用与周期，版图定型后无缝转量产路线。
厚胶高深宽比沟槽图形化
采用 SU-8 厚胶一次涂布至数十微米，配合步进/接触曝光实现高深宽比结构，显影后提供 CD 检测数据。
厚结构一次成型，结构侧壁形貌与线宽数据随批确认。
RDL 介质开孔图形化
在已金属化晶圆上完成介质开孔与焊盘窗口图形化，与 RDL、UBM 同线衔接，减少界面污染风险。
开孔 CD 与套刻数据随批交付，衔接后道电镀工序。
常见问题
没有版图文件，只有示意图可以做吗？
可以。工程师可根据示意图或器件结构要求代为绘制 GDSII 版图并回传确认，再制作掩膜版。版图代绘费用按图形复杂度单独报价。
0.5μm 线宽需要什么样的掩膜版？
0.5μm 分辨率采用步进式 i-line 投影曝光，掩膜版为投影倍率（通常 5×）版图，铬版最小图形 2.5μm 即可实现，常规激光直写石英版即可满足；更细线宽需 DUV 与电子束版配套，工程师会在评估时说明。
能在我们自己的镀膜片/键合片上直接光刻吗？
可以，支持来料图形化。请提前告知衬底材质、已有膜层、厚度与耐温限制；键合片、减薄片需说明边缘与厚度状态，工程师会评估吸片与对准可行性，必要时先做小样验证。
科研小批量（几片到几十片）的交期多久？
已有掩膜版的情况下常规 3–5 个工作日；需新制掩膜版则 1–2 周。多层套刻或厚胶工艺视层数与工艺窗口另行确认，可加急处理。
不想做掩膜版，有没有免掩膜的路线？
有无掩膜直写（激光直写）方案，支持 GDSII / DXF / CIF 等格式，分辨率约 0.6–2μm，省去掩膜制作费用与周期，适合结构还在迭代的科研打样；图形固定后如需量产，再切换为接触式或步进式配合铬版掩膜。
纳米级或高深宽比结构可以做吗？
亚微米/纳米级图形可视项目评估采用纳米压印（UV 或热压印）路线，可做到 50nm 以下并支持较高深宽比；厚结构则用 SU-8 等厚胶一次涂布至数十至数百微米。两者对模板/掩膜与基片平坦度要求不同，工程师会先评估再报价。
高起伏表面涂胶不均匀怎么办？
对台阶高、深槽多的表面，可采用喷涂（spray coating）等覆盖方式改善涂胶均匀性，避免旋涂在边缘与深槽处出现胶层过薄或断胶；请在评估时提供表面形貌信息，以便选择涂胶方式与胶厚。
套刻精度能到多少？
接触 / 接近式约 ±1μm，步进式 i-line 约 ±0.15μm、DUV 约 ±0.1μm；显影后 CD 与套刻偏移量测数据随批提供。
需要双面对准的器件能做吗？
可以。支持正面 / 背面对准，双面图形可选红外对准，对准标记也可由我方代为设计，先做首片确认套刻再批量曝光。
交付物和发票怎么给？
每批交付成品片与 CD / 套刻检测报告，随附 13% 增值税专票，顺丰保价寄送；首片验证通过后再批量曝光。
把版图或图形要求发给我们，24h 内出光刻方案与报价
掩膜版 + 光刻 + 刻蚀一站配套 · 首片数据确认后再批量
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