光刻胶与配套化学品
正胶 / 负胶 / SU-8 厚胶 / 剥离胶一站配齐，显影液、剥离液、清洗液同步供应，小包装科研用量现货，全程规范储存，配套光刻代工与掩膜版服务。
能力介绍
旋涂形成均匀胶膜，膜厚与线宽随工艺参数控制
型号选型支持
面向高校科研、工艺研发与小批量产线，我们提供从胶种选型、配套化学品到储存运输的一站式支持，并可衔接掩膜版与光刻代工。
- 小包装现货：常用型号提供 250mL / 500mL / 1L，SU-8 提供 100mL 起售规格，避免为一次实验囤货整桶。
- 储存与保质期：紫外胶 4–25℃ 阴凉避光，SU-8 建议 4–21℃ 冷藏（不可冷冻）；未开封通常 12–24 个月，开封后建议 6 个月内用完。
- 运输保障：夏季高温期 SU-8 与部分负胶默认加冰袋泡沫箱发货，不额外收费；溶剂类按危险品合规运输。
- 型号选型支持：按目标线宽、胶厚与后段工艺给出具体型号与参数建议，建议先用 测试片 验证旋涂曲线与显影时间。
- 配套化学品：显影液、剥离液、清洗液、增粘剂（HMDS）、边胶去除剂（EBR）一站配齐。
- 无金属离子版本：面向 CMOS 前道可提供 MIF 显影液与高纯级光刻胶，常用金属（Na、K、Fe、Cu）含量可控制在 < 1 ppb。
参数规格
曝光平台与膜厚能力
| 曝光平台 | 波长 | 典型胶型 | 膜厚范围 | 说明 |
|---|---|---|---|---|
| i-line | 365 nm | DNQ-酚醛正胶 | 0.3 – 5 μm（单涂） | 分辨率约 0.35–1.0μm，工艺窗口宽，MEMS/微电子主流 |
| g/h-line 宽带 | 405 / 436 nm（350–450 nm） | 正胶 / 负胶 | 0.5 – 5 μm | 通用曝光，兼容多种接触/接近式设备 |
| DUV（深紫外） | 248 nm | 化学放大胶（CA） | 亚微米 | 亚四分之一微米图形，需控酸扩散与延迟 |
| 厚胶 | 视设备 | SU-8 负胶 / 厚正胶 | 5 – 200 μm+（多次涂布） | 深宽比可 > 20:1，MEMS 结构层、微流道、电镀母模 |
| E-beam（电子束） | 电子束 | PMMA / ZEP / HSQ | 0.05 – 2 μm | PMMA 可 < 30 nm、HSQ 可 < 10 nm，用于掩膜与纳米加工 |
工艺配套材料
| 类别 | 常用品种 | 作用与说明 |
|---|---|---|
| 增粘剂 | HMDS（气相 prime / 旋涂）及专用附着力促进剂 | 将表面羟基转为疏水基团，提升胶与金属、III-V、聚合物等难附着衬底的粘附 |
| 边胶去除（EBR） | PGMEA、丙酮、专用 EBR 溶剂 | 旋涂时去除晶圆边缘隆起胶边，防止接触曝光沾污、改善片内 CD 均匀性 |
| 抗反射涂层 | BARC（底部）/ TARC（顶部） | 抑制胶内驻波与反射缺口，改善 CD 控制 |
| 去胶液 | NMP、DMSO、丙酮、Remover PG；O₂ 等离子灰化；Piranha（H₂SO₄:H₂O₂） | 刻蚀/注入后去胶，等离子灰化配合湿法清洗实现无残胶 |
光刻胶类型速查表
| 类型 | 代表型号 | 典型胶厚 | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| 正性光刻胶（正胶） | AZ P4620 / S1805 / 国产 RZJ 系列 | 0.5 – 10 μm | 通用图形化、lift-off、湿法/干法刻蚀掩蔽，科研最常用 |
| 负性光刻胶（负胶） | AZ nLOF 2000 系列 / 国产负胶 | 1 – 8 μm | 金属剥离（lift-off）倒梯形剖面、耐电镀掩蔽 |
| SU-8 厚胶 | SU-8 2000 / 3000 系列 | 1 – 500 μm | MEMS 深结构、微流道模具、电镀母模、生物芯片 |
| 剥离胶（Lift-off 底层胶） | LOR 系列 / PMMA | 0.2 – 3 μm | 与上层胶组成双层胶结构，实现陡直欠切剥离剖面 |
| 电子束胶 | PMMA 950K / ma-N 2400 | 0.1 – 2 μm | 电子束曝光（EBL）纳米图形、科研前沿结构 |
配套化学品
| 类别 | 常用品种 | 用途与说明 |
|---|---|---|
| 显影液 | AZ 400K / AZ 726 MIF / TMAH 2.38% | 正胶显影；MIF 型不含金属离子，适合对金属污染敏感的器件 |
| 剥离液 | NMP 基 / 丙酮 / 专用去胶液 | lift-off 后去胶、返工片去胶；NMP 基对金属膜层兼容性好 |
| 清洗液 | RCA 试剂 / 丙酮 / 异丙醇（电子级） | 涂胶前衬底清洗、去水烘烤配套，电子级低颗粒 |
| 增粘剂 | HMDS | 旋涂前增粘处理，改善胶与衬底附着力，防止漂胶 |
| 定影/边胶清洗剂 | EBR 边胶去除剂 | 旋涂后边缘与背面残胶去除，减少颗粒污染源 |
设备与工艺装备
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 匀胶机（旋涂机） | 转速 500–6000 rpm，多档程序 | 光刻胶膜厚控制 |
| 涂胶显影机（Track） | 涂胶-烘烤-显影一体 | 产线自动化涂胶显影 |
| 热板 / 烘箱 | 软烘 / 后烘，温控 ±1℃ | 溶剂去除与胶膜固化 |
| 恒温储存冷柜 | 4–21℃ 避光储存 | 光刻胶储存与效期管理 |
| 膜厚测试仪 | 光谱 / 台阶仪 | 涂膜厚度检测 |
| 显微镜 / 线宽量测 | 显影后图形检查 | 图形与线宽检验 |
| 洁净室环境控制系统 | 黄光区、恒温恒湿 | 储存与分装环境保障 |
实际案例
高校科研
小包装一次配齐
某课题组需要 250mL 小包装 SU-8 与配套显影液做微流控母模，用量小、型号多。
小包装现货随货附 MSDS，一次配齐并符合报销要求
CMOS 前道
无金属离子版本
某产线需要无金属离子显影液与高纯级光刻胶，控制前道沾污。
金属离子含量控制在 < 1 ppb，批次检测数据随附
先进封装
厚胶 RDL 工艺配套
某封装客户厚胶 RDL 工艺需要稳定胶厚与匹配显影条件。
提供旋涂曲线建议并配套显影液，胶厚与线宽一致性改善
常见问题
光刻胶有小包装吗？一次实验用不了 4L。
有。常用型号提供 250mL / 500mL / 1L 科研小包装，SU-8 提供 100mL 起售规格，价格按容量阶梯折算，避免为一次实验囤货。
如何选择正胶还是负胶？
常规图形化与刻蚀掩蔽优先正胶，工艺窗口宽、分辨率高；金属剥离需要倒梯形剖面或电镀掩蔽时选负胶；结构厚度超过 10μm 考虑 SU-8。把目标线宽、胶厚与后续工艺发给工程师，我们免费给出具体型号与工艺参数建议。
光刻胶过期了还能用吗？
不建议。过期胶会出现感光度漂移、显影残渣增多、膜面针孔等问题，直接影响图形良率。我们对每批出货标注生产日期与保质期，临近效期产品会提前告知并折价处理，不会混入正常批次发货。
可以提供 MSDS 和报销资料吗？
可以。随货提供中文 MSDS（化学品安全技术说明书）、送货单与 13% 增值税专用发票，满足高校及科研院所危化品备案与财务报销要求。
有没有无金属离子（CMOS 级）版本？
有。面向 CMOS 前道等对沾污敏感的应用，可供应无金属离子（MIF）显影液与高纯级光刻胶，常用等级金属（Na、K、Fe、Cu）含量可控制在 < 1 ppb；电子束胶也可提供金属 < 10 ppb 的高纯规格。具体等级请按工艺要求与工程师确认。
包装规格与运输方式有哪些？
常规包装 100 mL、250 mL、500 mL、1 L、1 Gallon 棕色玻璃或 HDPE 瓶，高纯场景可选袋中袋（bag-in-bottle）包装。溶剂类产品按危险品（IATA/IMDG 合规）运输；对温度敏感的产品提供 2–8℃ 冷链运输。出货按先进先出，尽量交付剩余保质期最长的批次。
显影液和去胶液怎么选？
正胶（DNQ-酚醛）常用 TMAH 0.26N / 2.38% 或 KOH 系；PMMA 电子束胶用 MIBK:IPA（1:3）；SU-8 用 PGMEA 专用显影。去胶常用 NMP、DMSO、丙酮或 Remover PG，顽固残留可先用 O₂ 等离子灰化再湿法清洗（Piranha 用于彻底去除有机物）。把胶型与后续工艺告知工程师即可给出配套方案。
光刻胶怎么储存，保质期多久？
紫外胶 4–25℃ 阴凉避光，SU-8 建议 4–21℃ 冷藏（不可冷冻）；未开封通常 12–24 个月，开封后建议 6 个月内用完。
HMDS 是做什么的，需要吗？
HMDS 是增粘剂，旋涂前处理可将表面羟基转为疏水基团，改善胶与金属、III-V、聚合物等难附着衬底的粘附，防止漂胶。
不同曝光平台该配什么胶？
i-line（365nm）用 DNQ-酚醛正胶，DUV（248nm）用化学放大胶，厚胶（SU-8）用于 5–200μm 深结构，电子束用 PMMA 等，按波长与目标膜厚选择。
告知目标线宽、胶厚与工艺，工程师免费选型报价
小包装现货 · 含税人民币报价 · 掩膜 + 光刻胶 + 代工打包方案