科研小批量
每片独立 ID，论文数据与实物片一一对应，便于成果溯源与复现实验。
晶圆激光打标与 ID 追溯服务
晶圆 ID、批次号、二维码一站式标记，SEMI 标准 OCR 字体，正背面可打，配套 Re-ID 与全流程追溯体系。
服务介绍
激光打标为晶圆建立可追溯的 ID 体系：在 SEMI 标准打标区（边缘 3–5mm）标记晶圆 ID 字符、批次号、Data Matrix 二维码与定位标记，支持正背面双面打标。采用 SEMI M12/M13 标准 OCR 字体，兼容主流 Fab 读码设备，无需二次适配。
打标后做 100% 机读验证，OCR 与二维码可读率随批记录；配合 晶圆再生服务可完成再生后重新赋码（Re-ID），旧码留存档案，实现再生循环全程可追溯；打标数据可导出批次清单对接 MES。
SEMI 标准 OCR 字体打标，正背面可选，配套 Re-ID 追溯
能力介绍
SEMI 标准字体
采用 SEMI M12/M13 标准 OCR 字体与打标位置规范，兼容主流 Fab 读码设备，无需二次适配。
再生片 Re-ID
配合 晶圆再生服务：再生后按新批次重新赋码（Re-ID），旧码留存档案，实现再生循环全程可追溯。
追溯体系对接
打标数据可导出批次清单（Excel/CSV），对接您的 MES 或实验室管理系统，实现从衬底到工艺再到出货的全链条追溯。
标记去除与表面复原
- 去码方式：化学机械方式去除既有标记，避免残留影响读码；
- 表面复原：去除后做表面处理，恢复平整与洁净；
- 质量验证：AFM 确认无残留标记、无亚表面裂纹，提供前后对比照片；
- 再生衔接：与 晶圆再生同流程完成去膜与重新赋码，旧码留存档案；
- 应用场景：科研样片一一对应、产线 测试片/Dummy批次管理与 产线配套供应追溯。
打标后 100% 机读验证，OCR 与二维码可读率随批记录
SEMI 标准字体
采用 SEMI M12/M13 标准 OCR 字体与打标位置规范，兼容主流 Fab 读码设备，无需二次适配。
参数规格
打标能力与标记类型
| 标记类型 | 典型内容 | 适用场景 | 备注 |
|---|---|---|---|
| 晶圆 ID 字符 | 字母 + 数字组合（如 W2026A01） | Fab 内批次与单片识别 | 支持 SEMI M12/M13 OCR 字体 |
| 批次号 / 序号 | 批号 + 片号连号 | 来料批次化管理 | 可与花篮槽位对应 |
| Data Matrix 二维码 | 二维矩阵码 | 自动化读码与 MES 对接 | 可读率 ≥ 99%（打标后验证） |
| 校验点 / 定位标记 | Chevron、 notch 旁基准点 | 对准与方向识别 | 按 SEMI 标准位置约定 |
工艺参数与衬底兼容
| 参数 | 能力范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 晶圆尺寸 | 2 – 12 英寸 | 硅、SiC、GaN、蓝宝石、玻璃均可 |
| 打标面 | 正面 / 背面 / 双面 | 背面打标常用于掩膜对准追溯 |
| 标记深度 | 2 – 20 μm（可调） | 浅标记适配薄晶圆与再生片 |
| 字符高度 | 0.8 – 3.2 mm（SEMI 标准系列） | OCR 字体按 SEMI M12/M13 |
| 热影响区 | 严格控制，邻近区域无微裂纹 | 随批提供显微检查照片 |
| 读码验证 | 打标后 100% 机读验证 | OCR/二维码可读率随批记录 |
标记深度分级与特种衬底打标
| 分级 / 衬底 | 参数要点 | 适用场景 |
|---|---|---|
| 浅标记（器件面） | 约 1–5μm，点阵，置于划片道，配除尘系统 | 图形后晶圆、器件面标记 |
| 软标记 | 约 5–20μm，可控去除不影响后续使用 | 需多次再生的监控片 |
| 硬标记 | 约 20–80μm，耐多次再生去膜 | 寿命长的批次管理 |
| GaAs / InP | 低功率打标 | 化合物半导体器件追溯 |
| SiC | 紫外（约 355nm）激光 | 功率器件追溯 |
| 玻璃 / 石英 | CO₂ 或紫外激光 | 玻璃衬底、TGV 载板 |
| TCO 镀膜片 | 非穿透标记，避免破坏导电膜 | 透明导电衬底 |
设备与工艺装备
按标记类型与衬底匹配激光与验证设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 激光打标设备 | 激光打标机（红外/紫外/绿光） | ID 字符、批次号与二维码打标 |
| 读码验证设备 | OCR/Data Matrix 读码与验证系统 | 打标后 100% 机读验证 |
| 显微检查设备 | 光学显微镜 / 显微拍照系统 | 标记形貌与微裂纹检查 |
| 除尘与净化设备 | 打标除尘系统 / 洁净作业台 | 减少打标颗粒与表面污染 |
| 表面去除设备 | 化学机械去码设备 / AFM 检查 | 旧标记去除与表面复原验证 |
实际案例
监控片 Re-ID 与批次追溯
产线再生监控片经去膜后按新批次重新赋码，旧码留存档案，打标数据导出批次清单对接 MES。
再生循环批次全程可追溯，扫码记录进出产线。
SiC 紫外激光低应力打标
SiC 器件片采用紫外激光打标，控制热影响区，随批提供显微检查照片确认无微裂纹。
打标后 100% 机读验证，可读率满足 MES 对接要求。
薄晶圆浅标记一一对应
薄晶圆采用浅标记（2–5μm），打标前后做翘曲度抽检，配合临时键合支撑避免破片。
每片独立 ID 与实验数据一一对应，便于成果溯源。
常见问题
激光打标会影响晶圆电学性能吗？
标记位于晶圆边缘 3–5 mm 区域（SEMI 标准打标区），热影响区严格受控，对有效器件区无影响；随批提供显微检查照片确认无微裂纹。
已有旧标记的晶圆可以重新打标（Re-ID）吗？
可以。常见于再生片再生后重新赋码场景。建议先评估旧标记深度与位置，必要时结合 再生工艺 去除旧码后再打新码，避免双码干扰读码设备。
二维码内容可以自定义编码规则吗？
可以。Data Matrix 内容按您的编码规则生成（批号、片号、日期码、校验位等），交付时同步提供编码对照表。
薄晶圆（≤ 200μm）可以打标吗？
可以，采用浅标记工艺（2–5 μm），并在打标前后做翘曲度抽检。超薄晶圆建议配合临时键合支撑，详见 减薄服务说明。
软标记和硬标记有什么区别，怎么选？
浅标记（约 1–5μm）用于器件面或图形后的划片道，配除尘系统减少颗粒；软标记（约 5–20μm）适合需多次再生的监控片，去除后不影响后续使用；硬标记（约 20–80μm）耐多次再生去膜，适合寿命长的批次管理。按再生次数与去除工艺选择。
怎么判断标记读码是否合格？
打标后做 100% 机读验证，OCR 字符与 Data Matrix 逐片确认可读，可读率与打标参数随批记录。二维码内容按 SEMI T7 约定可编码批次、片号、产品与日期，并可导出对照表用于 MES 对接。
旧标记需要彻底去除再打新码吗？
建议去除。可用化学机械方式去除旧标记并做表面复原，去除后经 AFM 确认无残留标记与亚表面裂纹，并提供前后对比照片；结合 晶圆再生可一次完成去膜与 Re-ID。
支持多大尺寸、哪些衬底的晶圆？
支持 2–12 英寸，硅、SiC、GaN、蓝宝石、玻璃均可打标。不同衬底匹配不同激光与功率（如 SiC 用紫外、玻璃用 CO₂ 或紫外），工程师按衬底选择非穿透或低功率方案。
字符高度和打标内容有什么规范？
采用 SEMI M12/M13 标准 OCR 字体，字符高度 0.8–3.2mm，打标位于边缘 3–5mm 的标准打标区，兼容主流 Fab 读码设备。可标 ID 字符、批次号、Data Matrix 二维码与定位标记。
打标深度怎么定？能打多深？
常规标记深度 2–20μm 可调；浅标记约 1–5μm 用于器件面/划片道，软标记约 5–20μm 便于再生去除，硬标记约 20–80μm 耐多次再生。按器件面要求与再生次数选择。
需要给晶圆建立可追溯的 ID 体系？
SEMI 标准字体 · 打标后 100% 读码验证 · 随批检测照片
相关服务：晶圆再生（Re-ID 场景） · 检测与认证 · 激光切割 · 定制加工总览