CMOS 阱区与源漏
B/BF₂⁺ 与 P/As 注入形成阱区、源漏与深结，覆盖从轻掺杂到重掺杂的常规掺杂结构。
晶圆离子注入与掺杂工艺服务
B/P/As/Sb 全谱系掺杂，能量剂量宽范围可调，配套退火激活与方块电阻检测，硅、SiC、GaN 衬底一片起做。
应用场景
功率器件掺杂
SiC 用 Al/N 高温注入形成体区与终端结构，用于功率器件与器件隔离，适配功率电子 SiC/GaN应用。
传感器与探测器件
为传感器与探测器提供掺杂浓度与结深控制的注入，配合掩膜实现选择性掺杂区域。
浅结与超浅结
低能段适配浅结源漏，配合 7° 倾角、屏蔽氧化层与预非晶化（PAI）获得更陡峭的超浅结剖面。
SiC / GaN 掺杂
支持 SiC 高温注入（Al/N）与 GaN 表面改性评估，衬底可自带或从SiC/GaN 衬底库选配。
科研小批量
一片起订，科研样品与小批量同样欢迎，可先做首片验证方块电阻再批量。
能力介绍
轻掺杂与重掺杂
从 10¹¹ cm⁻² 级轻掺杂到 10¹⁶ cm⁻² 级重掺杂，覆盖阱、源漏、埋层、终端等全类型掺杂结构。
退火激活配套
RTA 快速退火（950–1100 ℃，秒级）或炉管退火可选，修复晶格损伤并激活掺杂，随批提供方块电阻数据。
SiC / GaN 兼容
支持 SiC 高温注入（Al/N）与 GaN 表面改性评估，衬底可自带或从我司SiC/GaN 衬底库直接选配。
沟道效应抑制与损伤修复
沟道效应抑制
- 倾角注入：常规 7° 倾角（可搭配扭转角），避免离子沿主要晶向长驱直入；
- 屏蔽氧化层：生长 10–50nm 薄氧化层，使入射离子随机化并保护表面；
- 预非晶化（PAI）：注入前用 Si/Ge 高剂量形成非晶表层，获得更陡峭的超浅结剖面；
- 组合方案：PAI + 屏蔽氧化层 + 倾角 + 低温退火可进一步收窄剖面。
损伤修复
- 每次离子入射都会造成晶格点缺陷，重离子（如 As、Sb）更易在较低剂量下非晶化；
- 退火经固相外延再结晶（SPER）由非晶/晶体界面向表面推进，修复损伤区；
- 端-of-range（EOR）位错环需更高温退火才能消除，退火方案据此平衡激活与扩散；
- SiC/GaN 等高剂量注入建议配合保护退火或后续抛光评估。
服务流程
需求评估
提供衬底类型、目标掺杂剖面（能量/剂量）或器件结构要求，工程师 24h 内反馈可制造性建议与报价。
工艺确认
首片验证：注入后退火并测方块电阻，数据发您确认后再批量执行。
批量注入
按确认参数排产，关键批次提供剂量监测片数据。
交付检测
成品 + 检测报告（方块电阻、剂量均匀性）+ 13% 增值税专票，顺丰包邮。
方块电阻、剂量均匀性与剖面数据随批交付
退火激活配套
RTA 快速退火（950–1100 ℃，秒级）或炉管退火可选，修复晶格损伤并激活掺杂，随批提供方块电阻数据。
参数规格
可注入离子种类
| 离子种类 | 导电类型 | 典型应用 | 可加工衬底 |
|---|---|---|---|
| B（硼）/ BF₂⁺ | P 型 | CMOS 阱区、源漏、衬底掺杂 | Si、SiC、GaN |
| P（磷） | N 型 | 源漏、深结、MOS 栅 | Si、SiC |
| As（砷） | N 型 | 浅结源漏、重掺杂埋层 | Si |
| Sb（锑） | N 型 | 超低扩散埋层、双极器件 | Si |
| Al（铝） | P 型 | SiC 功率器件体区、终端 | SiC |
| N（氮） | N 型 | SiC 衬底与漂移区掺杂 | SiC |
能量与剂量能力范围
| 参数 | 能力范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 注入能量 | 5 keV – 400 keV | 低能段适配浅结，高能段适配埋层与深结 |
| 注入剂量 | 1×10¹¹ – 1×10¹⁶ cm⁻² | 轻重掺杂全覆盖，剂量均匀性 ≤ ±1.5% |
| 晶圆尺寸 | 2 – 8 英寸（12 英寸可评估） | 硅与化合物衬底通用载片台 |
| 注入角度 | 0° / 7°（可定制倾角） | 7° 抑制沟道效应 |
| 注入温度 | 常温 – 500 ℃（高温注入可约定） | SiC 高温注入降低晶格损伤 |
| 均匀性 | 片内 ≤ ±1.5%，片间 ≤ ±2% | 随批提供剂量检测数据 |
退火激活与电性表征
| 环节 | 能力范围 | 作用 / 说明 |
|---|---|---|
| 快速退火（RTA） | 峰值 900–1100°C，尖峰 < 1s 或均热 10–120s，均匀性约 ±2°C | 激活掺杂并抑制扩散，适合浅结 |
| 炉管退火 | 700–1100°C，10 min–4 hr，批量 25–50 片/炉 | 深结推进、损伤修复、氧化退火合并步骤 |
| 方块电阻 mapping | 四探针 49 点，片内均匀性数据 | 评估电激活与掺杂均匀性 |
| SIMS 剖面 | 检出限约 1×10¹⁴ cm⁻³ | 测化学掺杂浓度-深度分布 |
| 扩展电阻（SRP） | 深度分辨率约 5nm | 结深（Xj）测量 |
| 霍尔测试 | 载流子浓度与迁移率 | 验证电学激活效果 |
设备与工艺装备
按注入能量段与退火/表征环节配置对应设备，仅列类别与用途，不涉及具体品牌：
| 设备类别 | 典型配置 | 用途 |
|---|---|---|
| 离子注入机 | 中束流注入机 / 高能注入机 / 高温注入台 | 掺杂离子加速注入与 SiC 高温注入 |
| 快速退火设备 | RTA 快速退火炉 | 秒级激活掺杂并抑制扩散 |
| 炉管退火设备 | 高温炉管 / 氧化炉 | 深结推进、损伤修复与氧化退火 |
| 电性量测设备 | 四探针方阻仪 / 霍尔测试台 | 方块电阻、载流子浓度与迁移率 |
| 成分与结深量测 | SIMS / 扩展电阻（SRP） | 掺杂剖面与结深测量 |
实际案例
SiC 高温 Al 注入形成终端结构
为 SiC 功率器件项目提供高温 Al 注入形成体区与终端结构，注入后做保护退火与方块电阻验证。
注入剂量均匀性与方块电阻经首片验证后放量。
浅结源漏低能注入
采用低能 B/P 注入配合 7° 倾角与屏蔽氧化层抑制沟道效应，形成浅结源漏结构。
剖面经 SIMS/SRP 确认，结深与电激活符合设计目标。
无明确参数的目标驱动注入
某课题组仅提供目标方块电阻与结深，工程师结合经验模型推荐能量/剂量组合，首片先行验证。
首片方块电阻达目标窗口后再批量，减少试错成本。
常见问题
没有明确的注入参数，只有器件目标，可以做吗？
可以。提供器件类型与目标电学指标（如方块电阻、结深），工程师结合经验模型推荐能量/剂量组合，首片验证后再批量。
SiC 注入后表面粗糙度会变差吗？
高剂量 SiC 注入可能引入表面台阶，建议注入后进行碳膜保护退火或后续抛光评估。我们可以在报价阶段一并提供退火方案建议。
退火是必选的吗？
多数场景需要退火以激活掺杂并修复晶格损伤；若您后续自建退火流程，也可只交付注入片，检测报告注明未退火状态。
最小起订量是多少？
一片起订，科研样品与小批量同样欢迎。批量订单按阶梯报价，详见询价通道。
沟道效应会怎样影响掺杂剖面？
当离子沿晶体的主要晶向进入时会长驱直入，在掺杂剖面尾部形成难以预测的拖尾，影响结深一致性。常见抑制手段包括 7° 倾角（可搭配扭转角）、生长 10–50nm 屏蔽氧化层，以及注入前用 Si/Ge 预非晶化（PAI）形成非晶表层。工程师会按目标结深给出组合方案。
注入造成的晶格损伤怎么修复？
通过退火实现固相外延再结晶（SPER）修复损伤区；非晶/晶体界面附近的端-of-range（EOR）位错环需要更高温退火（约 900–1000°C）才能消除。我们的退火方案在修复损伤的同时尽量保持已设计的掺杂剖面，随批提供方块电阻与剖面数据。
注入后元素分布怎么验证？
按需提供多手段表征：四探针方块电阻 mapping 评估电激活与均匀性，SIMS 测化学掺杂剖面，扩展电阻（SRP）测结深，霍尔测试给出载流子浓度与迁移率。具体检测项在报价时按项目约定。
注入能量和剂量的范围是多少？
注入能量 5keV–400keV，低能段适配浅结、高能段适配埋层与深结；剂量 1×10¹¹–1×10¹⁶ cm⁻²，覆盖轻掺杂到重掺杂，剂量均匀性 ≤±1.5%（片内），随批提供剂量检测数据。
能注入哪些离子？
覆盖 B/BF₂⁺（P 型）、P/As/Sb（N 型），以及 SiC 用的 Al、N。不同离子的可加工衬底不同（如 Al/N 主要用于 SiC），请提供衬底类型与目标导电类型，工程师给出推荐组合。
退火方式怎么选？
看结深与热预算：浅结多用 RTA 快速退火（峰值秒级），激活掺杂同时抑制扩散；深结推进、批量处理或需要合并氧化步骤时选炉管退火。工程师按目标结深与器件热预算给出方案。