Dummy Die 制作｜定制服务

Name: Dummy Die 制作
Brand: 晶基半导体

产品介绍

Dummy Die（又称机械片 / 假片）是不具备电路功能的硅或玻璃芯片，但复刻了真实芯片的外形尺寸、重量与力学特性。它们用于封装开发、组装工艺验证、引线键合校准与可靠性测试，让工程师在不消耗昂贵功能器件的前提下验证流程。可制作材料包括硅、玻璃、陶瓷与金属镀层衬底，尺寸公差通常控制在 ±5μm。

交付形式灵活：可提供单颗切割好的裸片、整片晶圆形态，或按图纸定制的异形件，并可选表面金属化以支持引线键合或倒装工艺研究。相较正品芯片，Dummy Die 的成本通常低 60–80%，适合在工艺开发阶段大量消耗，相关常规衬底可参考Dummy / 机械片与方形晶圆。

核心特性

复刻真实芯片外形，用于无风险工艺验证；
材料可选硅、玻璃、陶瓷（Al₂O₃、AlN）与金属镀层；
尺寸公差 ±5μm，异形件约 ±25μm；
支持裸片、晶圆形态与定制几何形状；
成本约为正品芯片的 20–40%，适合大批量消耗。

Dummy Die：复刻真实芯片尺寸的机械样品

应用场景

引线键合工艺开发

在非功能芯片上优化超声功率、键合力、时间与温度参数，避免消耗昂贵器件。

倒装组装验证

用金属化假片验证底部填充流动、回流曲线与共面性要求。

热界面材料测试

用标准尺寸假片评估导热硅脂、相变材料在受控条件下的表现。

机械应力与跌落测试

用于板级可靠性、三点弯曲与跌落冲击测试，不消耗功能库存。

产线调试与培训

用于贴片机、固晶工艺调试与操作员培训，详见产线配套供应。

X 射线 / CSAM 校准

用带已知缺陷的假片组件校准 X 射线、CSAM 等无损检测设备。

能力介绍

裸硅假片：非图形化低等级硅，直径 100–300mm，厚度 200–1000μm；
氧化假片：热氧化 SiO₂ 100nm–2μm，用于附着与介质击穿测试；
定制尺寸：2×2mm 至 25×25mm，厚度 100–725μm，可切割成形；
金属化假片：Al（约 1μm）或 Ti/Au 焊盘，支持引线键合与倒装研究；
玻璃 / 陶瓷假片：硼硅 / 钠钙玻璃，Al₂O₃（96%、99.6%）与 AlN；
检测与认证：尺寸、外观、粗糙度与洁净度随批出具报告。

Dummy Die 可按方形、异形与晶圆形态交付

选材 · 切割成形 · 金属化与检测

从材料选择、切割到表面金属化与检测可按项目组合，方案与含税报价由工程师对接，详见激光切割。

参数规格

Dummy Die 类型与规格

类型	材料与指标	典型用途
裸硅假片	非图形化硅，直径 100–300mm，厚 200–1000μm，P / N 型宽松规格	通用机械测试与工艺开发
氧化假片	热氧化 SiO₂ 100nm–2μm，均匀性 < 5%，干氧 / 湿氧	附着研究、表面能与击穿测试
定制尺寸假片	2×2mm 至 25×25mm，厚 100–725μm，打刀或隐形切割	复刻特定封装外形
金属化假片	Al（约 1μm）或 Ti/Au，焊盘间距 50–300μm，开口 40–150μm	引线键合与倒装工艺开发
玻璃 / 陶瓷假片	硼硅 / 钠钙玻璃；Al₂O₃ 96%、99.6%；AlN 170–230 W/m·K	光学封装、高温工艺验证
异形件	缺口、T 形、多厚度、碎片，公差约 ±25μm	专用测试夹具与结构研究

尺寸、公差与交付形式

参数	规格 / 可定制范围
单颗尺寸	2×2mm 至 25×25mm
碎片尺寸	5×5mm 至 50×50mm
厚度	100–725μm（标准）；玻璃 / 陶瓷 200μm–1mm
尺寸公差	±5μm（常规切割）；异形件约 ±25μm
数量	100–10,000+ 片
交付形式	单颗裸片、晶圆形态、定制几何形状
版图输入	接受 DXF、DWG、GDSII 与 STEP 文件
成本参考	约为正品芯片的 20–40%（较正品低 60–80%）

设备与工艺装备

设备类别	典型配置	用途
切割设备	刀片划片机、隐形（激光）切割机	将晶圆分割为指定尺寸的假片
热氧化炉	干氧 / 湿氧氧化炉	生长氧化假片的 SiO₂ 层
薄膜沉积	PVD 金属沉积	制作 Al、Ti/Au 等焊盘金属化
研磨 / 抛光机	研磨 + 抛光	减薄并控制厚度与背面状态
光学量测	影像测量仪、光学轮廓仪	尺寸（±5μm）与表面粗糙度检测
外观检查	显微镜 / AOI	表面缺陷与崩边检查
洁净度检测	颗粒计数（IEST-STD-CC1246）	按需出具洁净度报告
封装设备	真空封装 / 载带	单片或批量洁净包装

实际案例

倒装工艺

金属化假片用于底部填充验证

某封装团队开发倒装工艺，需要在正式投产前验证底部填充流动与回流曲线。

结果：按 GDSII 制作 Al 焊盘假片，尺寸公差 ±5μm，随批提供尺寸与外观检测数据。

引线键合

Cu 线键合参数开发

某团队推进铜线键合，需要大量低成本的键合载具用于参数筛选与操作员培训。

结果：批量交付金属化假片，焊盘间距 50–300μm，成本低于正品，用于键合参数摸清。

检测校准

带已知缺陷的 CSAM 校准样品

某实验室需要带可控缺陷的样品来校准超声扫描与 X 射线检测系统灵敏度。

结果：定制异形假片组件，标注缺陷位置，用于无损检测设备的灵敏度验证。

常见问题

Dummy Die 和正品芯片的差别是什么？

Dummy Die 没有电路功能，但复刻正品芯片的外形尺寸、重量与力学特性，用于工艺验证与测试；正品芯片具备完整电学功能。由于无需流片与测试，Dummy Die 的成本通常比同尺寸正品低 60–80%。

尺寸精度能做到多少？

常规切割的尺寸公差约 ±5μm；带缺口、T 形等异形件按图纸加工，公差约 ±25μm。若对某一边或角度有更高要求，请在询价时注明。

可以按自己的芯片外形定制吗？

可以。提供 X / Y / Z 尺寸、材料、表面处理与特殊特征即可，接受 DXF、DWG、GDSII 与 STEP 文件。工程师会先给出可制造性（DFM）评估再报价。

支持哪些材料和厚度？

材料包括硅、玻璃（硼硅 / 钠钙）、陶瓷（Al₂O₃ 96%、99.6%，AlN）与金属镀层衬底；硅片厚度常见 100–725μm，玻璃 / 陶瓷约 200μm–1mm。

最小起订量与交期如何？

数量一般 100–10,000+ 片，具体看尺寸与工艺。交期取决于材料与后道工序，常规件与定制件的排产周期不同，以工程师确认的报价单为准。

交付形式是整片还是单颗？

两种都可以。可提供单颗切割好的裸片、整片晶圆形态，或按图纸定制的异形件；碎片尺寸 5×5mm 至 50×50mm，可按需求选择。

需要提供什么文件才能报价？

提供 X / Y / Z 尺寸、材料、表面处理与特殊特征即可，接受 DXF、DWG、GDSII 与 STEP 文件；工程师会先做可制造性（DFM）评估再报价。

可以做氧化或金属化的假片吗？

可以。氧化假片可长 100nm–2μm 热氧化 SiO₂（均匀性 < 5%）；金属化假片可做 Al（约 1μm）或 Ti/Au，焊盘间距 50–300μm，支持引线键合与倒装研究。

玻璃和陶瓷假片有哪些可选？

玻璃可选硼硅 / 钠钙玻璃，陶瓷可选 Al₂O₃（96%、99.6%）与 AlN（170–230 W/m·K），适合光学封装与高温工艺验证。

Dummy Die 会做哪些检测？

随批提供尺寸（±5μm）、外观、粗糙度与洁净度检测报告；洁净度可按需依据 IEST-STD-CC1246 出具颗粒计数数据。

提供 Die 尺寸、材料与数量，工程师 24 小时内回复评估与报价

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